onsemi MOSFET, canale N, 162 mΩ, 44 A, TO-247, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 162 mΩ, 44 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Tensione di soglia gate minima: 1.8V, Dissipazione di potenza massima: 348 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +25 V., Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVHL080N120SC1
onsemi AEC-Q101 MOSFET, NVHL080N120SC1, N-Canal-Canal, 44 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC
onsemi AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 44 A, 1.200 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 162 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.8V, Disipación de Potencia Máxima: 348 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -15 V, +25 V., Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVHL080N120SC1