Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 105 A, canale N, AG-ECONO3-3
Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 105 A, canale N, AG-ECONO3-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 355 W, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Dimensioni: 122 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 62mm, MPN: FP75R12KE3
RS Component IT
EUR 156.84
Infineon Módulo IGBT, FP75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, AG-ECONO3-3 Trifásico
Infineon Módulo IGBTBOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, AG-ECONO3-3 Trifásico, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 355 W, Configuración: Puente trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Dimensiones: 122 x 62 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 62mm, MPN: FP75R12KE3
RS Component ES
EUR 156.84