onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 44 A, DFN, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 44 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 43 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, MPN: NTMFS5H610NLT1G
RS Component IT
EUR 1.05
onsemi MOSFET, NTMFS5H610NLT1G, N-Canal-Canal, 44 A, 60 V, 5-Pin, DFN Simple
onsemi MOSFET, N-Canal-Canal, 44 A, 60 V, 5-Pin, DFN Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 43 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: NTMFS5H610NLT1G
RS Component ES
EUR 1.05