Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 30 A, SO-8, Montaggio superficiale
Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 30 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SQJ415EP-T1_GE3
Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ415EP-T1_GE3, P-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si
Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQJ415EP-T1_GE3