Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale
Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 26,6 (canale 1), 60 (canale 2), Tensione massima gate source: +16 V (canale 2), +20 V (canale 1), -12 V (canale 2), -16 V (canale1) V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5
Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W (canal 1), 60 W (canal 2), Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V (canal 2), +20 V (canal 1), –12 V (canal 2), –16 V (canal 1), Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3