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Hammond Enclosure, Hand Held; ABS Plastic; Gray; Self-Tapping Screws; 4.3 in.; 1 in.

Hammond Enclosure, Hand Held; ABS Plastic; Gray; Self-Tapping Screws; 4.3 in.; 1 in., MPN: 1593NGY

EUR 3.91

1

Ohmite RESISTOR, CARBON FILM;4.3; 0.25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG

Ohmite RESISTOR, CARBON FILM;4.3; 0.25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG, MPN: OK43G5E

EUR 0.03

1

Hammond Enclosure, Hand Held; ABS Plastic; Black; Self-Tapping Screws; 4.3 in.; 1 in.

Hammond Enclosure, Hand Held; ABS Plastic; Black; Self-Tapping Screws; 4.3 in.; 1 in., MPN: 1593NBK

EUR 3.91

1

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm, MPN: SIM-20ST

EUR 0.48

1

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm, Flusso radiante: 7mW, MPN: SIM-20ST

EUR 0.49

1

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm, Flusso radiante: 7mW, MPN: SIM-20ST

EUR 0.33

1

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2000 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.55mm, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2000 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4.3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4.3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1.5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.12mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: ZXMN2B14FHTA

EUR 0.72

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4.3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4.3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1.5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMN2B14FHTA

EUR 0.79

1

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +10 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLU110PBF

EUR 0.53

1

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25000 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRFU110PBF

EUR 0.94

1

TDK Induttore a filo avvolto SMD 22 μH, ±20%, Icc 4.3 (Saturation) A, 4.5 (Temperature) A

TDK Induttore a filo avvolto SMD 22 μH, ±20%, Icc 4.3 (Saturation) A, 4.5 (Temperature) A, Lunghezza: 12.8mm, Profondità: 12.5mm, Altezza: 7.7mm, Dimensioni: 12.8 x 12.5 x 7.7mm, Schermato: Sì, Resistenza in c.c. massima: 27mΩ, Serie: CLF-NI-D, Materiale base: Ferrite, Temperatura operativa massima: +150°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: CLF12577NIT-220M-D

EUR 1.16

1

TDK Induttore a filo avvolto SMD 22 μH, ±20%, Icc 4.3 (Saturation) A, 4.5 (Temperature) A

TDK Induttore a filo avvolto SMD 22 μH, ±20%, Icc 4.3 (Saturation) A, 4.5 (Temperature) A, Lunghezza: 12.8mm, Profondità: 12.5mm, Altezza: 7.7mm, Dimensioni: 12.8 x 12.5 x 7.7mm, Schermato: Sì, Resistenza in c.c. massima: 27mΩ, Serie: CLF-NI-D, Materiale base: Ferrite, Temperatura operativa massima: +150°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: CLF12577NIT-220M-D

EUR 1.16

1

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tipo di segnale trasmettitore: Single Ended, Ricevitore di segnale: Differenziale, Tipo di alimentazione: Singolo, Tensione di alimentazione singola tipica: 3,6 → 5,5 V, Dimensioni: 5.1 x 5.1 x 0.95mm, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C

EUR 2.02

1

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tipo di segnale trasmettitore: Single Ended, Ricevitore di segnale: Differenziale, Tipo di alimentazione: Singolo, Tensione di alimentazione singola tipica: 3,6 → 5,5 V, Dimensioni: 5.1 x 5.1 x 0.95mm, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C

EUR 2.02

1

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tipo di segnale trasmettitore: Single Ended, Ricevitore di segnale: Differenziale, Tipo di alimentazione: Singolo, Tensione di alimentazione singola tipica: 3.6 → 5,5 V, Dimensioni: 5.1 x 5.1 x 0.95mm, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +85 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C

EUR 2.02

1

KEMET Condensatore serie EXV 1μF ±20%, 50V cc, +105°C, SMD

KEMET Condensatore serie EXV 1μF ±20%, 50V cc, +105°C, SMD, Capacità: 1µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 4.3 x 4.3 x 5.4mm, Lunghezza: 4.3mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Passo: 1mm, Durata: 3000h, Resistenza serie equivalente: 5Ω, Corrente di perdita: 3 μA, MPN: EXV105M050A9BAA

EUR 0.18

1

KEMET Condensatore serie EXV 10μF ±20%, 25V cc, +105°C, SMD

KEMET Condensatore serie EXV 10μF ±20%, 25V cc, +105°C, SMD, Capacità: 10µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 4.3 x 4.3 x 5.4mm, Lunghezza: 4.3mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Passo: 1mm, Durata: 3000h, Resistenza serie equivalente: 1.93Ω, Corrente di perdita: 3 μA, MPN: EXV106M025A9BAA

EUR 0.09

1

KEMET Condensatore serie EXV 1μF ±20%, 50V cc, +105°C, SMD

KEMET Condensatore serie EXV 1μF ±20%, 50V cc, +105°C, SMD, Capacità: 1µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 4.3 x 4.3 x 5.4mm, Lunghezza: 4.3mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Passo: 1mm, Durata: 3000h, Resistenza serie equivalente: 5Ω, Corrente di perdita: 3 μA, MPN: EXV105M050A9BAA

EUR 0.09

1

KEMET Condensatore serie EXV 10μF ±20%, 25V cc, +105°C, SMD

KEMET Condensatore serie EXV 10μF ±20%, 25V cc, +105°C, SMD, Capacità: 10µF, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 4.3 x 4.3 x 5.4mm, Lunghezza: 4.3mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Passo: 1mm, Durata: 3000h, Resistenza serie equivalente: 1.93Ω, Corrente di perdita: 3 μA, MPN: EXV106M025A9BAA

EUR 0.21

1

EPCOS Termistore B57164K0222J000, 2.2kΩ ±5%, 20s, 450mW

EPCOS Termistore B57164K0222J000, 2.2kΩ ±5%, 20s, 450mW, Tipo di coefficiente temperatura: NTC, Coefficiente termico: 4.3%/°C, Applicazione: Compensazione, misura, Precisione: ±3%, Profondità: 5mm, Dimensioni: 5.5 (Dia.) x 5mm

EUR 0.78

1

EPCOS Termistore B57703M0303G040, 30kΩ ±2%, 50s, 150mW

EPCOS Termistore B57703M0303G040, 30kΩ ±2%, 50s, 150mW, Tipo di coefficiente temperatura: NTC, Coefficiente termico: 4.3%/°C, Applicazione: Misura, Precisione: ±1%, Lunghezza: 8.5mm, Profondità: 6.5mm, Altezza: 17.5mm, Dimensioni: 8.5 x 6.5 x 17.5mm

EUR 3.27

1

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT ±5%, 5s, package 0402 (1005M), Coefficiente termico: -4.3%/°C, Lunghezza: 1mm, Profondità: 0.5mm, Dimensioni: 1 x 0.5 x 0.5mm, Temperatura operativa massima: +150°C, Temperatura operativa minima: -40°C

EUR 0.18

1

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M), Coefficiente termico: -4.3%/°C, Lunghezza: 1mm, Profondità: 0.5mm, Dimensioni: 1 x 0.5 x 0.5mm, Temperatura operativa massima: +150°C, Temperatura operativa minima: -40°C

EUR 0.16

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Hammond Enclosure, Hand Held; ABS Plastic; Gray; Self-Tapping Screws; 4.3 in.; 1 in.

Ohmite RESISTOR, CARBON FILM;4.3; 0.25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG

Hammond Enclosure, Hand Held; ABS Plastic; Black; Self-Tapping Screws; 4.3 in.; 1 in.

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm

ROHM Diodo IR Montaggio con foro passante, lungh. d'onda 950nm, 4.4 x 4.3 mm

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4.3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4.3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

TDK Induttore a filo avvolto SMD 22 μH, ±20%, Icc 4.3 (Saturation) A, 4.5 (Temperature) A

TDK Induttore a filo avvolto SMD 22 μH, ±20%, Icc 4.3 (Saturation) A, 4.5 (Temperature) A

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin

Microchip Ricetrasmettitore multiprotocollo SEC1210-I/PV-URT EMV 4.2/4.3, ETSI TS 102 221, ISO/IEC 7816, PC/SC, 12MBPS, QFN 24 Pin

KEMET Condensatore serie EXV 1μF ±20%, 50V cc, +105°C, SMD

KEMET Condensatore serie EXV 10μF ±20%, 25V cc, +105°C, SMD

KEMET Condensatore serie EXV 1μF ±20%, 50V cc, +105°C, SMD

KEMET Condensatore serie EXV 10μF ±20%, 25V cc, +105°C, SMD

EPCOS Termistore B57164K0222J000, 2.2kΩ ±5%, 20s, 450mW

EPCOS Termistore B57703M0303G040, 30kΩ ±2%, 50s, 150mW

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M)