onsemi MOSFET, canale N, 120 mΩ, 44 A, TO-247, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 120 mΩ, 44 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 750 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 20.82mm, MPN: FDH44N50