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onsemi MOSFET, NVBG020N120SC1OS, 98 A, 1.200 V, 8-Pin, D2PAKâˆ’7L SiC

onsemi MOSFETOS, 98 A, 1.200 V, 8-Pin, D2PAKâˆ7L SiC, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 1200 V, Tipo de Encapsulado: D2PAKâˆ7L, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.028 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, MPN: NVBG020N120SC1

EUR 43.82

onsemi MOSFET ON Semiconductor, D2PAKâˆ'7L 98 A 1200 V, 8 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor, D2PAKâˆ'7L 98 A 1200 V, 8 broches, Type de boîtier: D2PAKâˆ7L, Résistance Drain Source maximum: 0.028 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, MPN: NVBG020N120SC1

EUR 43.82

onsemi MOSFET ON Semiconductor, 0,028 Ω, 98 A, D2PAKâˆ 7L

onsemi MOSFET ON Semiconductor, 0,028 Ω, 98 A, D2PAKâˆ 7L, Tensione massima drain source: 1200 V, Tipo di package: D2PAKâˆ7L, Resistenza massima drain source: 0.028 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, MPN: NVBG020N120SC1

EUR 43.82

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onsemi MOSFET, NVBG020N120SC1OS, 98 A, 1.200 V, 8-Pin, D2PAKâˆ’7L SiC

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onsemi MOSFET ON Semiconductor, 0,028 Ω, 98 A, D2PAKâˆ 7L