Promydea.it | Web Agency Sicilia

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NTH, MPN: NTH4L080N120SC1

EUR 11.81

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,16 Ω, 17 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,16 Ω, 17 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NVH, MPN: NVHL160N120SC1

EUR 11.92

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,224 Ω, 17,3 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,224 Ω, 17,3 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NTH, MPN: NTH4L160N120SC1

EUR 11.59

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NVH, MPN: NVH4L080N120SC1

EUR 10.00

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NTH, MPN: NTH4L080N120SC1

EUR 13.73

1

onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 110 mΩ, 31 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 110 mΩ, 31 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NTH, MPN: NTHL080N120SC1A

EUR 11.28

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,056 Ω, 60 A, D2PAK

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,056 Ω, 60 A, D2PAK, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NVB, MPN: NVBG040N120SC1

EUR 18.87

1

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NVH, MPN: NVH4L080N120SC1

EUR 13.20

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,0041 Ω, 185 A, D2PAK

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,0041 Ω, 185 A, D2PAK, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NVB, MPN: NVBGS4D1N15MC

EUR 12.68

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NTH, MPN: NTHL160N120SC1

EUR 13.53

1

onsemi Transistor MOSFET + diodo ON Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 31 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET + diodo ON Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 31 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NTH, MPN: NTHL080N120SC1A

EUR 13.12

1

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NTH, MPN: NTHL160N120SC1

EUR 11.04

1

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,04 Ω, 60 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,04 Ω, 60 A, TO-247, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: NVH, MPN: NVHL040N120SC1

EUR 17.65

1

onsemi Fotoaccoppiatore QRD1113 Infrarossi, Montaggio con foro passante Custom 4L package

onsemi Fotoaccoppiatore QRD1113 Infrarossi, Montaggio con foro passante Custom 4L package, Tempo di caduta: 50µs, Tempo di salita: 10µs, Corrente di oscuramento massima: 100nA, Dimensioni: 4.39 x 6.1 x 4.65mm, Corrente del collettore: 0.3 (Minimum)mA, Lunghezza d'onda massima rilevata: 940nm, Gamma sensibilità spettrale: 940 nm, Tensione dell'emettitore collettore: 30V, Tensione del collettore emettitore: 5V

EUR 11.10

1

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 1A, 1000V, SOD-123F

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 1A, 1000V, SOD-123F, Configurazione diodi: Singolo, Picco del tempo di recovery inverso: 2µs, MPN: S1MFL

EUR 12.07

1

onsemi Fototransistor ON Semiconductor QRD1114 Infrarossi, Montaggio con foro passante Custom 4L package

onsemi Fototransistor ON Semiconductor QRD1114 Infrarossi, Montaggio con foro passante Custom 4L package, Tempo di caduta: 50µs, Tempo di salita: 10µs, Corrente di oscuramento massima: 100nA, Dimensioni: 4.39 x 6.1 x 4.65mm, Corrente del collettore: 1 (Minimum)mA, Lunghezza d'onda massima rilevata: 940nm, Gamma sensibilità spettrale: 940 nm, Tensione dell'emettitore collettore: 30V, Tensione del collettore emettitore: 5V

EUR 19.31

1

onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247, A04, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247, A04, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: FCH023N65S3L4

EUR 12.80

1

onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: FCH023N65S3-F155

EUR 11.93

1

onsemi MOSFET, canale N, 27,4 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 27,4 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 595 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: NTH027N65S3F-F155

EUR 13.81

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 446 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: NTHL040N65S3F

EUR 10.44

1

onsemi Diodo, Su foro, 35A, 1700V, TO-247

onsemi Diodo, Su foro, 35A, 1700V, TO-247, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 2.8V, Tecnologia del diodo: SiC Schottky, MPN: NDSH25170A

EUR 17.25

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 40 MO, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 446 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: NTHL040N65S3HF

EUR 11.33

1

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247AD, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247AD, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 40 MO, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 446 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: NTHLD040N65S3HF

EUR 13.98

1

onsemi Diodo ON Semiconductor, Su foro, 35A, 1700V, TO-247

onsemi Diodo ON Semiconductor, Su foro, 35A, 1700V, TO-247, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Caduta di tensione diretta massima: 2.8V, Tecnologia del diodo: SiC Schottky, MPN: NDSH25170A

EUR 19.22

1

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 3A, 100V, SOD-123FA

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 3A, 100V, SOD-123FA, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Schottky, Picco del tempo di recovery inverso: 8ns, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 80A, MPN: S310FA

EUR 13.98

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,16 Ω, 17 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,224 Ω, 17,3 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET + diodo, canale N, 110 mΩ, 31 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,056 Ω, 60 A, D2PAK

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,08 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,0041 Ω, 185 A, D2PAK

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET + diodo ON Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 31 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET, canale N, 0,11 Ω, 29 A, TO-247

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,04 Ω, 60 A, TO-247

onsemi Fotoaccoppiatore QRD1113 Infrarossi, Montaggio con foro passante Custom 4L package

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 1A, 1000V, SOD-123F

onsemi Fototransistor ON Semiconductor QRD1114 Infrarossi, Montaggio con foro passante Custom 4L package

onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247, A04, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 27,4 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro

onsemi Diodo, Su foro, 35A, 1700V, TO-247

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247AD, Su foro

onsemi Diodo ON Semiconductor, Su foro, 35A, 1700V, TO-247

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 3A, 100V, SOD-123FA