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Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, 34 W., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 1.16

3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W (canal N), 34 W (canal P), Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84

3

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SI3459BDV-T1-GE3, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 288 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 7,7 nC a 10 V, MPN: SI3459BDV-T1-GE3

EUR 0.25

1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 40 V, Tipo de Encapsulado: SO-8, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68

1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W, 60 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W, 60 W., Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46

3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 75 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 75 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 66 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJA76EP-T1_GE3

EUR 1.00

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 760 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 1.37

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 1.11

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 10 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: SQD40061EL_GE3

EUR 1.24

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, MPN: SiSH617DN-T1-GE3

EUR 0.54

3

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SUP60N06-12P-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 19 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.51mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 33 nC a 10 V, MPN: SUP60N06-12P-GE3

EUR 0.75

1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +20 V, MPN: SiSS12DN-T1-GE3

EUR 0.97

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 16 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 16 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ481EP-T1_GE3

EUR 0.65

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA403EJ-T1_GE3

EUR 0.37

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3

EUR 0.40

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 30 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 30 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ415EP-T1_GE3

EUR 0.62

3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 40 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 40 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA405EJ-T1_GE3

EUR 0.46

3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 600 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.46V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQ2364EES-T1_GE3

EUR 0.35

3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 24,5 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 24,5 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ872EP-T1_GE3

EUR 1.03

3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 2,25 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 2,25 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.6V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQA470EEJ-T1_GE3

EUR 0.13

3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W (canal 1), 60 W (canal 2), Tension Grille Source maximum: +16 V (canal 2), +20 V (canal 1), -12 V (canal 2), -16 V (canal 1), Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.96

3

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SI3459BDV-T1-GE3, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 75 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 30 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, TO-252 100 A 40 V, 3 + Tab broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SUP60N06-12P-GE3, N-Canal-Canal, 60 A, 60 V, 3-Pin, TO-220AB TrenchFET

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 60 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 16 A 80 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 30 A 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 10 A 40 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SOT-23 2 A 60 V, 3 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 24,5 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SC-70 2,25 A 30 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches