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Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, 34 W., Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, 34 W., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 1.16
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W (canal N), 34 W (canal P), Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W, 60 W., Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46
3

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 26,6 W, 60 W., Tensione massima gate source: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W (canal 1), 60 W (canal 2), Tension Grille Source maximum: +16 V (canal 2), +20 V (canal 1), -12 V (canal 2), -16 V (canal 1), Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.96
3

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale P, 288 mΩ, 2,9 A, TSOP, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale P, 288 mΩ, 2,9 A, TSOP, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale P, 288 mΩ, 2,9 A, TSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3,3 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Carica gate tipica @ Vgs: 7,7 nC a 10 V, MPN: SI3459BDV-T1-GE3

EUR 0.25
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 40 V, Tipo de Encapsulado: SO-8, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale N, 19 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale N, 19 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, canale N, 19 mΩ, 60 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.51mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Carica gate tipica @ Vgs: 33 nC a 10 V, MPN: SUP60N06-12P-GE3

EUR 0.75
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W, 60 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SI3459BDV-T1-GE3, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, SI3459BDV-T1-GE3, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET

Vishay Siliconix Transistor MOSFET, P-Canal, 2,9 A, 60 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 288 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3,3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Carga Típica de Puerta @ Vgs: 7,7 nC a 10 V, MPN: SI3459BDV-T1-GE3

EUR 0.25
1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, 1 212 35 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiSH617DN-T1-GE3

EUR 0.24
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 80 A 25 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 80 A 25 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, 1 212 80 A 25 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 65,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +16 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SiSS02DN-T1-GE3

EUR 0.44
3

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 70 mΩ, 14,2 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 70 mΩ, 14,2 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 70 mΩ, 14,2 A, 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 24 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiS110DN-T1-GE3

EUR 0.31
1