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Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale, MPN: SiS590DN-T1-GE3

EUR 0.70

1

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, 100 V., Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5 V, 2.5 V, Serie: TrenchFET, MPN: SiS590DN-T1-GE3

EUR 0.71

1

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, 100 V., Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5 V, 2.5 V, Serie: TrenchFET, MPN: SiS590DN-T1-GE3

EUR 0.47

1

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 2.12

1

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 2.12

1

Vishay Rectificador y diodo Schottky, V10DM153CHM3/I, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines

Vishay Rectificador y diodo Schottky, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 2.12

1

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC, Configurazione diodi: 2x coppia catodo comune, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 2.82

1

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC, Configurazione diodi: 2x coppia catodo comune, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 1.01

1

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC, Configuration de diode: 2 paires à cathode commune, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 1.01

1

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC, Configuration de diode: 2 paires à cathode commune, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 2.82

1

Vishay Rectificador y diodo Schottky, V10DM153CHM3/I, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines

Vishay Rectificador y diodo Schottky, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: 2 pares de cátodos comunes, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 2.82

1

Vishay Rectificador y diodo Schottky, V10DM153CHM3/I, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines

Vishay Rectificador y diodo Schottky, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: 2 pares de cátodos comunes, MPN: V10DM153CHM3/I

EUR 1.01

1

Vishay Manopola interruttore girevole per Potenziometri di precisione o altri dispositivi rotanti fino a 15 giri ,

Vishay Manopola interruttore girevole per Potenziometri di precisione o altri dispositivi rotanti fino a 15 giri ,, Accessori: Quadrante, MPN: 18-A-11

EUR 24.05

1

Vishay MOSFET, Quad, N/P-Canal, 4 A, 100 V, 100 V., 8-Pin, POWERPAK 1212-8 TrenchFET Si

Vishay MOSFET, Quad, N/P-Canal, 4 A, 100 V, 100 V., 8-Pin, POWERPAK 1212-8 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,167 O, 0,251 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5 V, 2.5 V, MPN: SiS590DN-T1-GE3

EUR 0.47

1

Vishay MOSFET, Quad, N/P-Canal, 4 A, 100 V, 100 V., 8-Pin, POWERPAK 1212-8 TrenchFET Si

Vishay MOSFET, Quad, N/P-Canal, 4 A, 100 V, 100 V., 8-Pin, POWERPAK 1212-8 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,167 O, 0,251 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5 V, 2.5 V, MPN: SiS590DN-T1-GE3

EUR 0.71

1

Vishay MOSFET canal N/P,, PowerPak 1212-8 4 A 100 V, 100 V., 8 broches

Vishay MOSFET canal N/P,, PowerPak 1212-8 4 A 100 V, 100 V., 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,167 O, 0,251 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5 V, 2.5 V, Série: TrenchFET, MPN: SiS590DN-T1-GE3

EUR 0.71

1

Vishay MOSFET canal N/P,, PowerPak 1212-8 4 A 100 V, 100 V., 8 broches

Vishay MOSFET canal N/P,, PowerPak 1212-8 4 A 100 V, 100 V., 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,167 O, 0,251 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5 V, 2.5 V, Série: TrenchFET, MPN: SiS590DN-T1-GE3

EUR 0.47

1

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 4 A, Tension Drain Source maximum: 20 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,05 O, 0,156 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.8V, Série: TrenchFET, MPN: SI5515CDC-T1-GE3

EUR 0.74

3

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 30V 65/140mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 30V 65/140mohm @, Tipo di canale: N, P, Corrente massima continuativa di drain: 4 A,3,7 A, Tensione massima drain source: 30 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,1 O,0,235 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Serie: TrenchFET, MPN: SI5504BDC-T1-E3

EUR 0.34

1

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @, Tipo di canale: N, P, Corrente massima continuativa di drain: 4 A, Tensione massima drain source: 20 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 0,05 O, 0,156 O, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.8V, Serie: TrenchFET, MPN: SI5515CDC-T1-GE3

EUR 0.46

1

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 30V 65/140mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 30V 65/140mohm @, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 4 A, 3,7 A., Tension Drain Source maximum: 30 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,1 O, 0,235 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Série: TrenchFET, MPN: SI5504BDC-T1-E3

EUR 0.34

3

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 4 A, Tension Drain Source maximum: 20 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,05 O, 0,156 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.8V, Série: TrenchFET, MPN: SI5515CDC-T1-GE3

EUR 0.46

1

Vishay N/P-Ch MOSFET SO-8 60V 58/120mohm @ 10V-

Vishay N/P-Ch MOSFET SO-8 60V 58/120mohm @ 10V-, Tipo de Canal: N, P, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 5,3 A, 3,9 A., Tensión Máxima Drenador-Fuente: 60 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,072 O,0,15 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Serie: TrenchFET, MPN: SI4559ADY-T1-E3

EUR 0.78

1

Vishay N/P-Ch MOSFET SO-8 60V 58/120mohm @ 10V-

Vishay N/P-Ch MOSFET SO-8 60V 58/120mohm @ 10V-, Type de canal: N, P, Courant continu de Drain maximum: 5,3 A, 3,9 A., Tension Drain Source maximum: 60 V, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,072 O,0,15 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Série: TrenchFET, MPN: SI4559ADY-T1-E3

EUR 1.79

3

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, P, 0,167 O, 0,251 O., 4 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Rectificador y diodo Schottky, V10DM153CHM3/I, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Diode Schottky et de redressement CMS, 5A, 150V, O-263AC

Vishay Rectificador y diodo Schottky, V10DM153CHM3/I, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines

Vishay Rectificador y diodo Schottky, V10DM153CHM3/I, 5A, 150V, O-263AC, 2-Pines

Vishay Manopola interruttore girevole per Potenziometri di precisione o altri dispositivi rotanti fino a 15 giri ,

Vishay MOSFET, Quad, N/P-Canal, 4 A, 100 V, 100 V., 8-Pin, POWERPAK 1212-8 TrenchFET Si

Vishay MOSFET, Quad, N/P-Canal, 4 A, 100 V, 100 V., 8-Pin, POWERPAK 1212-8 TrenchFET Si

Vishay MOSFET canal N/P,, PowerPak 1212-8 4 A 100 V, 100 V., 8 broches

Vishay MOSFET canal N/P,, PowerPak 1212-8 4 A 100 V, 100 V., 8 broches

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 30V 65/140mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 30V 65/140mohm @

Vishay N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @

Vishay N/P-Ch MOSFET SO-8 60V 58/120mohm @ 10V-

Vishay N/P-Ch MOSFET SO-8 60V 58/120mohm @ 10V-