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Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 0.67

1

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 1.40

1

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHP690N60E-GE3

EUR 1.70

1

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

EUR 0.77

1

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 0.73

1

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

EUR 1.60

1

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHP690N60E-GE3

EUR 1.70

1

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 1.22

1

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHJ690N60E-T1-GE3

EUR 1.60

1

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHJ690N60E-T1-GE3

EUR 0.90

1

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SiHA690N60E-GE3

EUR 1.71

1

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SiHA690N60E-GE3

EUR 1.71

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 32 A, 650 V, 4-Pin, PowerPAK E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 32 A, 650 V, 4-Pin, PowerPAK E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,08 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

EUR 4.58

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 32 A, 650 V, 4-Pin, PowerPAK E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 32 A, 650 V, 4-Pin, PowerPAK E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,08 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SiHH080N60E-T1-GE3

EUR 2.25

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 21 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 21 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,184 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHB24N80AE-GE3

EUR 2.67

1

Vishay MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 4,4 A, 850 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E Series Si

Vishay MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 4,4 A, 850 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,35 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SiHD5N80AE-GE3

EUR 0.88

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 21 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 21 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,184 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHB24N80AE-GE3

EUR 3.18

1

Vishay MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 4,4 A, 850 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E Series Si

Vishay MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 4,4 A, 850 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,35 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SiHD5N80AE-GE3

EUR 0.41

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 15 A, 850 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 15 A, 850 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,305 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SiHG17N80AEF-GE3

EUR 2.41

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 34 A, 700 V, 3-Pin, TO-247AD E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 34 A, 700 V, 3-Pin, TO-247AD E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,109 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SQW33N65EF-GE3

EUR 4.58

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 34 A, 700 V, 3-Pin, TO-247AD E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 34 A, 700 V, 3-Pin, TO-247AD E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,109 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SQW33N65EF-GE3

EUR 3.84

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 165,3 A., 850 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 165,3 A., 850 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,25 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHP21N80AEF-GE3

EUR 2.18

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 35 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 35 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,08 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SiHP080N60E-GE3

EUR 3.93

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 16,3 A, 850 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 16,3 A, 850 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,25 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHG21N80AEF-GE3

EUR 2.41

1

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 15 A, 850 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 15 A, 850 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,305 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SiHP17N80AEF-GE3

EUR 2.18

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Couleur

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 32 A, 650 V, 4-Pin, PowerPAK E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 32 A, 650 V, 4-Pin, PowerPAK E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 21 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Si

Vishay MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 4,4 A, 850 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 21 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Si

Vishay MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 4,4 A, 850 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 15 A, 850 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 34 A, 700 V, 3-Pin, TO-247AD E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 34 A, 700 V, 3-Pin, TO-247AD E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 165,3 A., 850 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 35 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 16,3 A, 850 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 15 A, 850 V, 3-Pin, TO-220AB E Series Si