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Vishay MOSFET, SiHG47N60E-GE3, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

Vishay MOSFET, SiHG47N60E-GE3, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 64 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiHG47N60E-GE3

EUR 10.76
1

Vishay MOSFET, SiHG73N60E-GE3, N-Canal-Canal, 73 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

Vishay MOSFET, SiHG73N60E-GE3, N-Canal-Canal, 73 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 73 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 39 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 520 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.7mm, Longitud: 15.87mm, MPN: SiHG73N60E-GE3

EUR 11.32
1

Vishay MOSFET, SIHG039N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 61 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC Simple

Vishay MOSFET, SIHG039N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 61 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC Simple

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 61 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIHG039N60EF-GE3

EUR 11.63
1

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 61 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 61 A 600 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 61 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 357 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIHG039N60EF-GE3

EUR 13.48
3

Vishay MOSFET, SIHG70N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si

Vishay MOSFET, SIHG70N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 520 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIHG70N60EF-GE3

EUR 12.20
1

Vishay MOSFET, SiHG70N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si

Vishay MOSFET, SiHG70N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 520 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SiHG70N60EF-GE3

EUR 13.86
1

Vishay MOSFET, SiHG70N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si

Vishay MOSFET, SiHG70N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 70 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 520 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 20.82mm, MPN: SiHG70N60EF-GE3

EUR 11.12
1