Promydea.it | Web Agency Sicilia

Vishay Staffa, per Resistori a filo avvolto

Vishay Staffa, per Resistori a filo avvolto, MPN: ACCRF2EDN

EUR 4.96

1

Vishay Staffa, per Resistori a filo avvolto

Vishay Staffa, per Resistori a filo avvolto, MPN: ACCRF2EDN

EUR 4.61

1

Vishay MOSFET, SIHP125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHP125N60EF-GE3

EUR 4.39

1

Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,193 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHP186N60EF-GE3

EUR 3.43

1

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 1.40

1

Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,193 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHP186N60EF-GE3

EUR 3.24

1

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 0.67

1

Vishay MOSFET, SIHH125N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH125N60EF-T1GE3

EUR 3.82

1

Vishay MOSFET, SIHH186N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,193 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH186N60EF-T1GE3

EUR 3.04

1

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHP690N60E-GE3

EUR 1.70

1

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHP690N60E-GE3

EUR 1.70

1

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

EUR 1.60

1

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

EUR 0.77

1

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 0.73

1

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 1.22

1

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHJ690N60E-T1-GE3

EUR 0.90

1

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHJ690N60E-T1-GE3

EUR 1.60

1

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SiHA690N60E-GE3

EUR 1.71

1

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SiHA690N60E-GE3

EUR 1.71

1

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 3.92kΩ ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 3.92kΩ ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT, Potenza: 0.1W, Coefficiente di temperatura: ±25ppm/°C, Dimensioni: 1.6 x 0.5mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C, Tipo contenitore: Stampato, Coefficiente di temperatura massimo: +25ppm/°C, MPN: MCT06030D3921BP500

EUR 0.14

1

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 280Ω ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 280Ω ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT, Potenza: 0.1W, Coefficiente di temperatura: ±25ppm/°C, Dimensioni: 1.6 x 0.5mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C, Tipo contenitore: Stampato, Coefficiente di temperatura massimo: +25ppm/°C, MPN: MCT06030D2800BP500

EUR 0.06

1

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 3.92kΩ ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 3.92kΩ ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT, Potenza: 0.1W, Coefficiente di temperatura: ±25ppm/°C, Dimensioni: 1.6 x 0.5mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C, Tipo contenitore: Stampato, Coefficiente di temperatura massimo: +25ppm/°C, MPN: MCT06030D3921BP500

EUR 0.06

1

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 280Ω ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 280Ω ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT, Potenza: 0.1W, Coefficiente di temperatura: ±25ppm/°C, Dimensioni: 1.6 x 0.5mm, Lunghezza: 1.6mm, Profondità: 0.85mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C, Tipo contenitore: Stampato, Coefficiente di temperatura massimo: +25ppm/°C, MPN: MCT06030D2800BP500

EUR 0.06

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252, Tensione massima drain source: 850 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 1.22

1

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252, Tensione massima drain source: 850 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 0.73

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Staffa, per Resistori a filo avvolto

Vishay Staffa, per Resistori a filo avvolto

Vishay MOSFET, SIHP125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, SIHH125N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHH186N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 3.92kΩ ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 280Ω ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 3.92kΩ ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay Resistenza fissa per montaggio superficiale di precisione a film sottile 280Ω ±0.1%, 0,1W, 0603, serie MCT

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252

Vishay MOSFET, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, TO-252