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Vishay Diode Zener, Traversant SOD-64

Vishay Diode Zener, Traversant SOD-64, Configuration de diode: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de zener: Avalanche, Nombre de broche: 2, Courant de fuite inverse maximum: 50µA, Diamètre: 4.3mm, Dimensions: 4.3 Dia. x 4mm, Courant direct: 3A, Tension directe: 1.7V, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: SF5408-TR

EUR 0.86

3

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2000 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.55mm, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2000 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

Vishay MOSFET canal N,, SOIC 4.3 A 60 V, 8 broches

Vishay MOSFET canal N,, SOIC 4.3 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 58 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2000 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.55mm, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

Vishay MOSFET canal N,, SOIC 4.3 A 60 V, 8 broches

Vishay MOSFET canal N,, SOIC 4.3 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 58 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2000 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +10 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRLU110PBF

EUR 0.53

1

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25000 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRFU110PBF

EUR 0.94

1

Vishay MOSFET canal N,, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 540 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25000 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRFU110PBF

EUR 0.94

1

Vishay MOSFET canal N,, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 540 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRLU110PBF

EUR 0.53

1

Vishay Diode Zener, Traversant SOD-64

Vishay Diode Zener, Traversant SOD-64, Configuration de diode: Simple, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de zener: Avalanche, Nombre de broches: 2, Courant de fuite inverse maximum: 50µA, Dimensions: 4.3 (Dia.). x 4mm, Courant direct: 3A, Tension directe: 1.7V, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: SF5408-TR

EUR 0.90

3

Vishay 4.3 (Dia.). x 4mm Simple 3A 1.7V SF5408-TR +175 °C 50μA -55 °C Montaje en orificio pasante 1 SOD-64 2 Diodo

Vishay 4.3 (Dia.). x 4mm Simple 3A 1.7V SF5408-TR +175 °C 50μA -55 °C Montaje en orificio pasante 1 SOD-64 2 Diodo, Tipo de Zener: Avalancha, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 50µA

EUR 0.46

1

Vishay MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 58 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.55mm, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

Vishay MOSFET, IRLU110PBF, N-Canal-Canal, 4.3 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4.3 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 540 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -10 V, +10 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRLU110PBF

EUR 0.53

1

Vishay MOSFET, IRFU110PBF, N-Canal-Canal, 4.3 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4.3 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 540 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 25000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRFU110PBF

EUR 0.94

1

Vishay MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 58 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SI4900DY-T1-GE3

EUR 1.21

1

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT ±5%, 5s, package 0402 (1005M), Coefficiente termico: -4.3%/°C, Lunghezza: 1mm, Profondità: 0.5mm, Dimensioni: 1 x 0.5 x 0.5mm, Temperatura operativa massima: +150°C, Temperatura operativa minima: -40°C

EUR 0.18

1

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M), Coefficiente termico: -4.3%/°C, Lunghezza: 1mm, Profondità: 0.5mm, Dimensioni: 1 x 0.5 x 0.5mm, Temperatura operativa massima: +150°C, Temperatura operativa minima: -40°C

EUR 0.16

1

Vishay Termistor, constante 5s, Carcasa 0402 (1005M), 1 x 0.5 x 0.5mm

Vishay Termistor, constante 5s, Carcasa 0402 (1005M), 1 x 0.5 x 0.5mm, Serie: NTCS0402E3, Coeficiente Térmico: -4.3%/°C, Tolerancia: ±5%, Longitud: 1mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +150°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: NTCS0402E3683JHT

EUR 0.18

1

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 6.3V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package 7343-43

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 6.3V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package 7343-43, Tecnologia: MnO2, Capacità: 33µF, Lunghezza: 7.3mm, Dimensioni: 7.3 x 4.3 x 2.8mm, Elettrolita: Solido, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: TR3D337K6R3C0060

EUR 0.91

1

Vishay Condensatore al tantalio, 68μF, 20V cc, serie TR3, ±10%, +125°C

Vishay Condensatore al tantalio, 68μF, 20V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, Tecnologia: MnO2, Capacità: 68µF, Lunghezza: 7.3mm, Profondità: 4.3mm, Altezza: 4mm, Dimensioni: 7.3 x 4.3 x 4mm, Elettrolita: Solido, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: TR3D686K020C0115

EUR 1.10

1

Vishay Termistor, Resistencia 68kΩ, constante 5s, Carcasa 0402 (1005M), 1 x 0.5 x 0.5mm

Vishay Termistor, Resistencia 68kΩ, constante 5s, Carcasa 0402 (1005M), 1 x 0.5 x 0.5mm, Serie: NTCS0402E3, Coeficiente Térmico: -4.3%/°C, Tolerancia: ±5%, Longitud: 1mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +150°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: NTCS0402E3683JHT

EUR 0.16

1

Vishay Condensatore al tantalio, 68μF, 16V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package D

Vishay Condensatore al tantalio, 68μF, 16V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package D, Tecnologia: MnO2, Capacità: 68µF, Lunghezza: 7.3mm, Profondità: 4.3mm, Altezza: 4mm, Dimensioni: 7.3 x 4.3 x 4mm, Elettrolita: Solido, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: TR3D686K016C0100

EUR 0.65

1

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M), Coefficiente termico: -4.3%/°C, Applicazione: Compensazione, protezione, rilevamento, Precisione: ±3%, Lunghezza: 1mm, Profondità: 0.5mm, Dimensioni: 1 x 0.5 x 0.5mm, Temperatura operativa massima: +150°C, Temperatura operativa minima: -40°C

EUR 0.13

1

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 10V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package E

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 10V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package E, Tecnologia: MnO2, Capacità: 33µF, Lunghezza: 7.3mm, Profondità: 4.3mm, Altezza: 4mm, Dimensioni: 7.3 x 4.3 x 4mm, Elettrolita: Solido, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: TR3E337K010C0060

EUR 2.40

1

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 10V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package D

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 10V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package D, Tecnologia: MnO2, Capacità: 47µF, Lunghezza: 7.3mm, Profondità: 4.3mm, Altezza: 2.8mm, Dimensioni: 7.3 x 4.3 x 2.8mm, Elettrolita: Solido, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: TR3D476K010C0100

EUR 0.56

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Diode Zener, Traversant SOD-64

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET, canale N, 58 mΩ, 4.3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Vishay MOSFET canal N,, SOIC 4.3 A 60 V, 8 broches

Vishay MOSFET canal N,, SOIC 4.3 A 60 V, 8 broches

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 540 mΩ, 4.3 A, IPAK (TO-251), Su foro

Vishay MOSFET canal N,, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches

Vishay Diode Zener, Traversant SOD-64

Vishay 4.3 (Dia.). x 4mm Simple 3A 1.7V SF5408-TR +175 °C 50μA -55 °C Montaje en orificio pasante 1 SOD-64 2 Diodo

Vishay MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si

Vishay MOSFET, IRLU110PBF, N-Canal-Canal, 4.3 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple Si

Vishay MOSFET, IRFU110PBF, N-Canal-Canal, 4.3 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple Si

Vishay MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Termistor, constante 5s, Carcasa 0402 (1005M), 1 x 0.5 x 0.5mm

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 6.3V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package 7343-43

Vishay Condensatore al tantalio, 68μF, 20V cc, serie TR3, ±10%, +125°C

Vishay Termistor, Resistencia 68kΩ, constante 5s, Carcasa 0402 (1005M), 1 x 0.5 x 0.5mm

Vishay Condensatore al tantalio, 68μF, 16V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package D

Vishay Termistore NTCS0402E3683JHT, 68kΩ ±5%, 5s, package 0402 (1005M)

Vishay Condensatore al tantalio, 33μF, 10V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package E

Vishay Condensatore al tantalio, 47μF, 10V cc, serie TR3, ±10%, +125°C, package D