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Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,193 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHP186N60EF-GE3

EUR 3.43

1

Vishay MOSFET, SIHP125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHP125N60EF-GE3

EUR 4.39

1

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 0.67

1

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3

EUR 1.40

1

Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,193 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHP186N60EF-GE3

EUR 3.24

1

Vishay MOSFET, SIHP125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHP125N60EF-GE3

EUR 5.15

1

Vishay MOSFET, SIHH070N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 23 A, 36 A., 650 V, 5-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 23 A, 36 A., 650 V, 5-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,071 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH070N60EF-T1GE3

EUR 8.67

1

Vishay MOSFET, SIHH125N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH125N60EF-T1GE3

EUR 6.85

1

Vishay MOSFET, SIHH186N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,193 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH186N60EF-T1GE3

EUR 5.44

1

Vishay MOSFET, SIHH125N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH125N60EF-T1GE3

EUR 3.82

1

Vishay MOSFET, SIHH070N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 23 A, 36 A., 650 V, 5-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 23 A, 36 A., 650 V, 5-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,071 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH070N60EF-T1GE3

EUR 5.36

1

Vishay MOSFET, SIHH186N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,193 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SIHH186N60EF-T1GE3

EUR 3.04

1

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHP690N60E-GE3

EUR 1.70

1

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHP690N60E-GE3

EUR 1.70

1

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

EUR 1.60

1

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 0.73

1

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3

EUR 1.22

1

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHD690N60E-GE3

EUR 0.77

1

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHJ690N60E-T1-GE3

EUR 0.90

1

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SIHJ690N60E-T1-GE3

EUR 1.60

1

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SiHA690N60E-GE3

EUR 1.71

1

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SiHA690N60E-GE3

EUR 1.71

1

Vishay MOSFET, SiZF360DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin, PowerPAIR de 3 x 3FDC TrenchFET Gen IV

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin, PowerPAIR de 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0019 Ω, 0,0026 Ω, 0,0045 Ω, 0,0075 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, MPN: SiZF360DT-T1-GE3

EUR 1.43

1

Vishay MOSFET, SiZ240DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 47 A, 48 A., 40 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3S TrenchFET Gen IV

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 47 A, 48 A., 40 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3S TrenchFET® Gen IV, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0133 Ω, 0,00805 Ω, 0,00841 Ω, 0,01225 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, MPN: SiZ240DT-T1-GE3

EUR 1.28

1

Vishay MOSFET, SiZ240DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 47 A, 48 A., 40 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3S TrenchFET Gen IV

Vishay MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 47 A, 48 A., 40 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3S TrenchFET® Gen IV, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0133 Ω, 0,00805 Ω, 0,00841 Ω, 0,01225 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, MPN: SiZ240DT-T1-GE3

EUR 0.64

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, SIHP125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, SIHU6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-251 E

Vishay MOSFET, SIHP186N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 18 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, SIHP125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF

Vishay MOSFET, SIHH070N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 23 A, 36 A., 650 V, 5-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHH125N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHH186N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHH125N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 14 A, 23 A., 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHH070N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 23 A, 36 A., 650 V, 5-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHH186N60EF-T1GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 16 A, 650 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8 EF

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, SIHP690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-220AB E

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD6N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 3,2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHD690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 4 A, 6,4 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 E

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, SIHJ690N60E-T1-GE3, N-Canal-Canal, 3,5 A, 5,6 A, 650 V, 5-Pin, PowerPAK SO-8L E

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, SiHA690N60E-GE3, N-Canal-Canal, 2,7 A, 4,3 A, 650 V, 3-Pin, Cable delgado TO-220 FULLPAK E

Vishay MOSFET, SiZF360DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin, PowerPAIR de 3 x 3FDC TrenchFET Gen IV

Vishay MOSFET, SiZ240DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 47 A, 48 A., 40 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3S TrenchFET Gen IV

Vishay MOSFET, SiZ240DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 47 A, 48 A., 40 V, 8-Pin, PowerPAIR de 3 x 3S TrenchFET Gen IV