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Vishay MOSFET, IRLI640GPBF, N-Canal-Canal, 9.9 A, 200 V, 3-Pin, TO-220FP Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 9.9 A, 200 V, 3-Pin, TO-220FP Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 180 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 40000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -10 V, +10 V, Altura: 9.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRLI640GPBF

EUR 2.73

1

Vishay MOSFET, IRLI640GPBF, N-Canal-Canal, 9.9 A, 200 V, 3-Pin, TO-220FP Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 9.9 A, 200 V, 3-Pin, TO-220FP Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 180 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 40000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -10 V, +10 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRLI640GPBF

EUR 3.69

1

Vishay MOSFET, Si4134DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 9.9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 9.9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.5mm, MPN: Si4134DY-T1-GE3

EUR 0.75

1

Vishay MOSFET, Si4134DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 9.9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 9.9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: Si4134DY-T1-GE3

EUR 0.75

1

Vishay 1.7 (Dia.) x 3.9mm Simple 200mA 1.1V 1N5243B-TAP +175 °C 500 mW 500 nA @ 9.9 V 13Ω Montaje en orificio pasante

Vishay 1.7 (Dia.) x 3.9mm Simple 200mA 1.1V 1N5243B-TAP +175 °C 500 mW 500 nA @ 9.9 V 13Ω Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 13V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: ±5%, Corriente de Prueba: 9.5mA

EUR 0.01

1

Vishay 1.7 (Dia.) x 3.9mm Simple 200mA 1.1V 1N5243B-TAP +175 °C 500 mW 500 nA @ 9.9 V 13Ω Montaje en orificio pasante

Vishay 1.7 (Dia.) x 3.9mm Simple 200mA 1.1V 1N5243B-TAP +175 °C 500 mW 500 nA @ 9.9 V 13Ω Montaje en orificio pasante, Tensión Nominal de Zener: 13V, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: ±5%, Corriente de Prueba: 9.5mA, Diámetro: 1.7mm

EUR 0.01

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay MOSFET, IRLI640GPBF, N-Canal-Canal, 9.9 A, 200 V, 3-Pin, TO-220FP Simple Si

Vishay MOSFET, IRLI640GPBF, N-Canal-Canal, 9.9 A, 200 V, 3-Pin, TO-220FP Simple Si

Vishay MOSFET, Si4134DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 9.9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si

Vishay MOSFET, Si4134DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 9.9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si

Vishay 1.7 (Dia.) x 3.9mm Simple 200mA 1.1V 1N5243B-TAP +175 °C 500 mW 500 nA @ 9.9 V 13Ω Montaje en orificio pasante

Vishay 1.7 (Dia.) x 3.9mm Simple 200mA 1.1V 1N5243B-TAP +175 °C 500 mW 500 nA @ 9.9 V 13Ω Montaje en orificio pasante