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Toshiba MOSFET canal N,, A-247 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 30 A 650 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,09 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: TK090N65Z, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 6.25

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 30 A 650 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,09 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: TK090N65Z, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 10.53

1

Toshiba Driver de motor de paso a paso, TB67S128FTG(O,EL), VQFN 5A 44 V Motor paso a paso Bipolar

Toshiba Driver de motor de paso a paso, VQFN 5A 44 V Motor paso a paso Bipolar, MPN: TB67S128FTG(O,EL)

EUR 4.53

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 214 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 214 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 3,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 255 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.1mm, Longueur: 10.16mm, MPN: TK100E08N1

EUR 1.24

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 55 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 55 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 12,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 72 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.1mm, Longueur: 10.16mm, MPN: TK35E08N1

EUR 0.54

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 207 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 207 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 3,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 255 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.1mm, Longueur: 10.16mm, MPN: TK100E10N1

EUR 3.38

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 157 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 157 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 192 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.1mm, Longueur: 10.16mm, MPN: TK72E08N1

EUR 0.89

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 20 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 20 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 155 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 165 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK20E60W,S1VX(S

EUR 1.67

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 72 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 72 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 225 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK72E12N1,S1X(S

EUR 0.97

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 90 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 90 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 126 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK40E10N1,S1X(S

EUR 0.82

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 80 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 80 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 103 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK46E08N1

EUR 0.64

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 20 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 20 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 155 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 165 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK20N60W,S1VF(S

EUR 2.03

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 55 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 55 A 80 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 12,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 72 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK35E08N1

EUR 0.69

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 39 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 39 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 270 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK39N60W,S1VF(S

EUR 3.17

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 27 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 27 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK28N65W,S1F(S

EUR 2.29

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 72 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 72 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 225 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK72E12N1,S1X(S

EUR 0.87

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 31 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 31 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 88 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 3.12

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 90 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 90 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 8,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 126 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15.1mm, Longueur: 10.16mm, MPN: TK40E10N1,S1X(S

EUR 0.82

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 43 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 43 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 53 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK30E06N1

EUR 0.31

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 263 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 263 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 255 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 15.1mm, Longueur: 10.16mm, MPN: TK100E06N1

EUR 1.24

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 20 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 20 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 155 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 165 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK20E60W,S1VX(S

EUR 2.18

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 67 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK40E06N1

EUR 0.52

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 10,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 67 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK40E06N1

EUR 0.66

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 207 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 207 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 3,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 255 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK100E10N1

EUR 1.75

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 13,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 98 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.16mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK32E12N1,S1X(S

EUR 0.79

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 30 A 650 V, 3 broches

Toshiba Driver de motor de paso a paso, TB67S128FTG(O,EL), VQFN 5A 44 V Motor paso a paso Bipolar

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 214 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 55 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 207 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 157 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 20 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 72 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 90 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 80 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 20 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 55 A 80 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 39 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 27 A 650 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 72 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 31 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 90 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 43 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 263 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 20 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 60 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 207 A 100 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-220 60 A 120 V, 3 broches