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Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba Transistor, PNP Simple, 100 mA, 300 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba Transistor, PNP Simple, 100 mA, 300 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: -300 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Dimensions: 2.9 x 1.5 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,5 V, MPN: 2SA1721-O(TE85L,F)

EUR 0.20

1

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 142 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.05

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.06

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.08

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 142 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.01

1

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.31

1

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2e+006 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2e+006 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 142 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 142 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,75 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,75 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,75 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.06

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 25 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: 2SC4213-A(TE85L,F)

EUR 0.30

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 25 V, Dimensions: 2.9 x 1.5 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: 2SC3326-A(TE85L,F)

EUR 0.28

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba Transistor, PNP Simple, 100 mA, 300 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches