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Taiwan Semiconductor Driver del Display

Taiwan Semiconductor Driver del Display, Tipo de Paquete: SOT-26, Tensión de Alimentación: 32 V, Número de Segmentos: 126, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Anchura: 1.7mm, Altura: 1.1mm, Longitud: 3.1mm, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: TS19371CX6 RFG

EUR 1.13

1

Taiwan Semiconductor Driver del Display

Taiwan Semiconductor Driver del Display, Tipo de Paquete: SOT-26, Tensión de Alimentación: 30 V, Número de Segmentos: 126, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Anchura: 1.7mm, Altura: 1.1mm, Longitud: 3.1mm, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: TS19371CX6 RFG

EUR 0.96

1

Taiwan Semiconductor Driver del Display

Taiwan Semiconductor Driver del Display, Número de Segmentos: 126, Corriente de Alimentación Máxima: 3 mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Encapsulado: SOT-26, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica: 18 V, Dimensiones: 3.1 x 1.7 x 1.1mm, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 1.7mm, MPN: TS19371CX6 RFG

EUR 0.76

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 73 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 73 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM080N03PQ56

EUR 0.20

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM055N03PQ56

EUR 0.32

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 4,8 m.Ω, 107 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 4,8 m.Ω, 107 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM048NB06LCR

EUR 1.05

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 48 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 48 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM110NB04DCR

EUR 0.54

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 38 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 38 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM150NB04DCR

EUR 0.47

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 4,8 m.Ω, 107 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 4,8 m.Ω, 107 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM048NB06LCR

EUR 0.70

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM055N03PQ56

EUR 0.21

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 73 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 73 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM080N03PQ56

EUR 0.29

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 38 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 38 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM150NB04DCR

EUR 0.32

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 28 m.Ω, 28 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 28 m.Ω, 28 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM280NB06LCR

EUR 0.38

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM055N03EPQ56

EUR 0.21

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8.9 mΩ, 67 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8.9 mΩ, 67 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM089N08LCR

EUR 0.66

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 55 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 55 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM080N03EPQ56

EUR 0.20

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 55 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 55 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM080N03EPQ56

EUR 0.29

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8.9 mΩ, 67 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8.9 mΩ, 67 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM089N08LCR

EUR 0.99

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM055N03EPQ56

EUR 0.32

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 48 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 48 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM110NB04DCR

EUR 0.36

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 28 m.Ω, 28 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 28 m.Ω, 28 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM280NB06LCR

EUR 0.25

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 41 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 41 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM150NB04CR

EUR 0.25

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 3,3 m.Ω, 121 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 3,3 m.Ω, 121 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM033NB04CR

EUR 0.82

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 51 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 51 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM110NB04LCR

EUR 0.42

1

Taiwan Semiconductor MOSFET, 22 m.Ω, 35 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 22 m.Ω, 35 A, PDFN56, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TSM025, MPN: TSM220NB06LCR

EUR 0.28

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

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Marchand

Prix (EUR)

Taiwan Semiconductor Driver del Display

Taiwan Semiconductor Driver del Display

Taiwan Semiconductor Driver del Display

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 73 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 4,8 m.Ω, 107 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 48 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 38 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 4,8 m.Ω, 107 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 73 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 38 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 28 m.Ω, 28 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8.9 mΩ, 67 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 55 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8 m.Ω, 55 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8.9 mΩ, 67 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 8,5 m.Ω, 80 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 48 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 28 m.Ω, 28 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 15 m.Ω, 41 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 3,3 m.Ω, 121 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 11 m.Ω, 51 A, PDFN56

Taiwan Semiconductor MOSFET, 22 m.Ω, 35 A, PDFN56