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STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches

STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches

STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 4, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,4 V, Dimensions: 20 x 7.1 x 5.1mm, Longueur: 20mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -20 °C, Largeur: 7.1mm, MPN: ULN2074B

EUR 5.71
1

STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches

STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches

STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches, Configuration du transistor: Emetteur commun, Nombre d'éléments par circuit: 4, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 1,4 V, Dimensions: 20 x 7.1 x 5.1mm, Longueur: 20mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -20 °C, Largeur: 7.1mm, MPN: ULN2064B

EUR 5.71
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.97
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 360 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.95
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.97
1

STMicroelectronics Transistor Darlington, ULN2074B, NPN 1,75 A, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común

STMicroelectronics Transistor Darlington, ULN2074B, NPN 1,75 A, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común

STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN 1,75 A, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 4, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1,4 V, Dimensiones: 20 x 7.1 x 5.1mm, Longitud: 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20 °C, Ancho: 7.1mm, MPN: ULN2074B

EUR 5.71
1

STMicroelectronics Transistor Darlington, ULN2064B, NPN 1,75 A, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común

STMicroelectronics Transistor Darlington, ULN2064B, NPN 1,75 A, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común

STMicroelectronics Transistor Darlington, NPN 1,75 A, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 4, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1,4 V, Dimensiones: 20 x 7.1 x 5.1mm, Longitud: 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20 °C, Ancho: 7.1mm, MPN: ULN2064B

EUR 5.71
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 50 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 360 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.6V, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.95
1

STMicroelectronics MOSFET, STW56N60DM2, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh DM2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW56N60DM2, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh DM2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh DM2 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 360 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.6V, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.95
1

STMicroelectronics MOSFET, STW56N60DM2, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh DM2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW56N60DM2, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh DM2 Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh DM2 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 360 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW56N60DM2

EUR 9.97
1