STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 45 A, Hip247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 270 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 3.5V, Altezza: 20.15mm, Lunghezza: 15.75mm, MPN: SCT30N120