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STMicroelectronics Scheda di valutazione per Analizzare La Funzionalità Del Dispositivo IPS161H Evaluation Board IPS161H

STMicroelectronics Scheda di valutazione per Analizzare La Funzionalità Del Dispositivo IPS161H Evaluation Board IPS161H, MPN: STEVAL-IFP034V1

EUR 31.53

1

STMicroelectronics Scheda di valutazione Monitoraggio batterie per Applicazioni Di Misurazione Del Gas Evaluation Board STC3115

STMicroelectronics Scheda di valutazione Monitoraggio batterie per Applicazioni Di Misurazione Del Gas Evaluation Board STC3115, MPN: STEVAL-ISB014V2

EUR 42.86

1

STMicroelectronics Scheda di valutazione per Alimentazione del core digitale a bassa tensione Nelle Applicazioni HDD Demonstration Board

STMicroelectronics Scheda di valutazione per Alimentazione del core digitale a bassa tensione Nelle Applicazioni HDD Demonstration Board, Dispositivo completo: ST1S03, MPN: STEVAL-ISA042V2

EUR 30.61

1

STMicroelectronics

STMicroelectronics, Función de administración de energía: Convertidor de bajada, Clasificación del kit: Placa de evaluación, Para Usar Con: Fuentes de alimentación y convertidores, Dispositivo mostrado: ST1PS03AQTR, Nombre del kit: STEVAL-1PS03A

EUR 29.21

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 20.67

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.03 Ω, 91 A, HiP247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.03 Ω, 91 A, HiP247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.9V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTWA70N120G2V-4

EUR 41.10

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.03 Ω, 91 A, HiP247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.03 Ω, 91 A, HiP247, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.9V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTWA70N120G2V-4

EUR 30.33

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW40N120G2VAG

EUR 23.65

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.024 O, 119 A, HiP247-4, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.024 O, 119 A, HiP247-4, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTWA90N65G2V-4

EUR 36.06

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.024 O, 119 A, HiP247-4, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.024 O, 119 A, HiP247-4, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTWA90N65G2V-4

EUR 31.77

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 35.83

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTW100N65G2AG

EUR 31.55

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTH40N120G2V7AG

EUR 22.86

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 116 A, H²PAK-7

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 116 A, H²PAK-7, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTH90, MPN: SCTH90N65G2V-7

EUR 32.82

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 119 A, HiP247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 119 A, HiP247, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTW90, MPN: SCTW90N65G2V

EUR 31.35

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 119 A, HiP247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 119 A, HiP247, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTW90, MPN: SCTW90N65G2V

EUR 33.98

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 116 A, H²PAK-7

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 116 A, H²PAK-7, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTH90, MPN: SCTH90N65G2V-7

EUR 33.26

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 91 A, Anca-247-3, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 91 A, Anca-247-3, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.9V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTW70N, MPN: SCTW70N120G2V

EUR 25.24

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 91 A, Anca-247-3, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 91 A, Anca-247-3, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.9V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTW70N, MPN: SCTW70N120G2V

EUR 34.43

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,59 Ω, 65 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,59 Ω, 65 A, HiP247™, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCT50N120

EUR 37.69

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 45 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 45 A, HiP247™, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTWA30N120

EUR 26.22

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,59 Ω, 65 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,59 Ω, 65 A, HiP247™, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCT50N120

EUR 33.19

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 45 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 45 A, HiP247™, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCT, MPN: SCTWA30N120

EUR 29.78

1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.067 O, 40 A, PowerFLAT 8x8 HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.067 O, 40 A, PowerFLAT 8x8 HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTL35N65G2V

EUR 20.74

1

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,036 Ω, 68 A, TO-247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,036 Ω, 68 A, TO-247, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, MPN: STW70N65DM6-4

EUR 20.91

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Scheda di valutazione per Analizzare La Funzionalità Del Dispositivo IPS161H Evaluation Board IPS161H

STMicroelectronics Scheda di valutazione Monitoraggio batterie per Applicazioni Di Misurazione Del Gas Evaluation Board STC3115

STMicroelectronics Scheda di valutazione per Alimentazione del core digitale a bassa tensione Nelle Applicazioni HDD Demonstration Board

STMicroelectronics

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.03 Ω, 91 A, HiP247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.03 Ω, 91 A, HiP247, Su foro

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, HiP247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.024 O, 119 A, HiP247-4, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.024 O, 119 A, HiP247-4, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,105 Ω, 33 A, H2PAK-7

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 116 A, H²PAK-7

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 119 A, HiP247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 119 A, HiP247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 116 A, H²PAK-7

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 91 A, Anca-247-3, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,021 Ω, 91 A, Anca-247-3, Su foro

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,59 Ω, 65 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 45 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,59 Ω, 65 A, HiP247

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 45 A, HiP247

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0.067 O, 40 A, PowerFLAT 8x8 HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,036 Ω, 68 A, TO-247