STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio
STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 650 V, 4-Pin, HiP247-4 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,067 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: SCTWA35N65G2V-4