STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,052 Ω, 60 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SCTH60N120G2-7