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STMicroelectronics Controlador PWM de modo corriente VIPER50A-E, 1,5 A, 200 kHz, 0 → 15 V, 5 pines PENTAVATIO

STMicroelectronics Controlador PWM de modo corriente VIPER50A-E, 1,5 A, 200 kHz, 0 → 15 V, 5 pines PENTAVATIO, Tiempo de Subida: 50ns, Tiempo de Bajada: 100ns, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10.4 x 4.8 x 9.2mm, Longitud: 10.4mm, Ancho: 4.8mm

EUR 2.59

1

STMicroelectronics MOSFET, SCT1000N170, N-Canal-Canal, 7 A, 1700 V, 3-Pin, HiP247 SCT1000N170 Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 1700 V, 3-Pin, HiP247 SCT1000N170 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.66 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.9V

EUR 14.18

1

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60M6, N-Canal-Canal, 8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK STD11N60M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK STD11N60M6 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V

EUR 1.65

1

STMicroelectronics MOSFET, SCT1000N170, N-Canal-Canal, 7 A, 1700 V, 3-Pin, HiP247 SCT1000N170 Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 1700 V, 3-Pin, HiP247 SCT1000N170 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.66 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.9V

EUR 12.50

1

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60M6, N-Canal-Canal, 8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK STD11N60M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK STD11N60M6 Si, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V

EUR 0.84

1

STMicroelectronics MOSFET, SCTW90N65G2V, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 3-Pin, HiP247 SCTW90 SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 3-Pin, HiP247 SCTW90 SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,024 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTW90N65G2V

EUR 31.35

1

STMicroelectronics MOSFET, STW50N65DM6, N-Canal-Canal, 33 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 DM6

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 DM6, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,091 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, MPN: STW50N65DM6

EUR 9.07

1

STMicroelectronics MOSFET, STW50N65DM6, N-Canal-Canal, 33 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 DM6

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 DM6, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,091 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.75V, MPN: STW50N65DM6

EUR 7.82

1

STMicroelectronics MOSFET, SCTW90N65G2V, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 3-Pin, HiP247 SCTW90 SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 3-Pin, HiP247 SCTW90 SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,024 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTW90N65G2V

EUR 33.98

1

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 4.19

1

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: STH200N10WF7-2

EUR 5.04

1

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCTWA10N120, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCTWA10N120 SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCTWA10N120 SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,55 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

EUR 11.65

1

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT10N120H, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT10N120H SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT10N120H SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,52 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

EUR 6.54

1

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCTWA10N120, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCTWA10N120 SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCTWA10N120 SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,55 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

EUR 7.96

1

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT30N120H, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT30N120H SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT30N120H SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

EUR 24.82

1

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT10N120H, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT10N120H SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT10N120H SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,52 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

EUR 9.82

1

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT30N120H, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT30N120H SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT30N120H SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,09 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

EUR 18.00

1

STMicroelectronics MOSFET, STF16N90K5, N-Canal-Canal, 15 A, 900 V, 3-Pin, TO-220FP SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 15 A, 900 V, 3-Pin, TO-220FP SiC MOSFET SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,33 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: STF16N90K5

EUR 5.77

1

STMicroelectronics MOSFET, SCT20N120H, N-Canal-Canal, 20 A, 1.200 V, 3-Pin, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 20 A, 1.200 V, 3-Pin, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,203 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 239V, MPN: SCT20N120H

EUR 11.55

1

STMicroelectronics MOSFET, SCT20N120H, N-Canal-Canal, 20 A, 1.200 V, 3-Pin, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 20 A, 1.200 V, 3-Pin, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,203 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 239V, MPN: SCT20N120H

EUR 16.03

1

STMicroelectronics MOSFET, STF16N90K5, N-Canal-Canal, 15 A, 900 V, 3-Pin, TO-220FP SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 15 A, 900 V, 3-Pin, TO-220FP SiC MOSFET SiC, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,33 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: STF16N90K5

EUR 6.80

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 91 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 91 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,03 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.9V, MPN: SCTWA70N120G2V-4

EUR 41.10

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 91 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 91 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,03 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.9V, MPN: SCTWA70N120G2V-4

EUR 30.33

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,052 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 19.84

1

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,052 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, MPN: SCTH60N120G2-7

EUR 16.47

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

STMicroelectronics Controlador PWM de modo corriente VIPER50A-E, 1,5 A, 200 kHz, 0 → 15 V, 5 pines PENTAVATIO

STMicroelectronics MOSFET, SCT1000N170, N-Canal-Canal, 7 A, 1700 V, 3-Pin, HiP247 SCT1000N170 Si

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60M6, N-Canal-Canal, 8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK STD11N60M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, SCT1000N170, N-Canal-Canal, 7 A, 1700 V, 3-Pin, HiP247 SCT1000N170 Si

STMicroelectronics MOSFET, STD11N60M6, N-Canal-Canal, 8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK STD11N60M6 Si

STMicroelectronics MOSFET, SCTW90N65G2V, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 3-Pin, HiP247 SCTW90 SiC

STMicroelectronics MOSFET, STW50N65DM6, N-Canal-Canal, 33 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 DM6

STMicroelectronics MOSFET, STW50N65DM6, N-Canal-Canal, 33 A, 650 V, 3-Pin, TO-247 DM6

STMicroelectronics MOSFET, SCTW90N65G2V, N-Canal-Canal, 119 A, 650 V, 3-Pin, HiP247 SCTW90 SiC

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics MOSFET, STH200N10WF7-2, N-Canal-Canal, 180 A, 100 V, 3-Pin, H2PAK-2 STH200

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCTWA10N120, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCTWA10N120 SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT10N120H, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT10N120H SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCTWA10N120, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCTWA10N120 SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT30N120H, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT30N120H SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT10N120H, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT10N120H SiC

STMicroelectronics Módulo de potencia SiC, SCT30N120H, N-Canal-Canal, 45 A, 1.200 V, 3-Pin, HiP247 SCT30N120H SiC

STMicroelectronics MOSFET, STF16N90K5, N-Canal-Canal, 15 A, 900 V, 3-Pin, TO-220FP SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, SCT20N120H, N-Canal-Canal, 20 A, 1.200 V, 3-Pin, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, SCT20N120H, N-Canal-Canal, 20 A, 1.200 V, 3-Pin, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, STF16N90K5, N-Canal-Canal, 15 A, 900 V, 3-Pin, TO-220FP SiC MOSFET SiC

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 91 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 91 A, 1.200 V, 4-Pin, HiP247 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 60 A, 1.200 V, 7-Pin, H2PAK-7 Silicio