ROHM MOSFET, canale N, 0,16 Ω, 22 A, TO-247N, Su foro
ROHM MOSFET, canale N, 0,16 Ω, 22 A, TO-247N, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Materiale del transistor: SiC, MPN: SCT2160KEHRC11