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Nexperia AEC-Q101 MOSFET, PMV100ENEAR, 3, N-Canal-Canal, 3 A, 30 V, 3-Pin, SOT23, TO-236AB Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, PMV100ENEAR, 3, N-Canal-Canal, 3 A, 30 V, 3-Pin, SOT23, TO-236AB Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, 3, N-Canal-Canal, 3 A, 30 V, 3-Pin, SOT23, TO-236AB Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 118 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 4,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV100ENEAR

EUR 0.13
1

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, PMV100ENEAR, 3, N-Canal-Canal, 3 A, 30 V, 3-Pin, SOT23, TO-236AB Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, PMV100ENEAR, 3, N-Canal-Canal, 3 A, 30 V, 3-Pin, SOT23, TO-236AB Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, 3, N-Canal-Canal, 3 A, 30 V, 3-Pin, SOT23, TO-236AB Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 118 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 4,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMV100ENEAR

EUR 0.38
1

Nexperia MOSFET canal N,, SOT23, TO-236AB 3 A 30 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT23, TO-236AB 3 A 30 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT23, TO-236AB 3 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 118 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 4,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PMV100ENEAR

EUR 0.13
1

Nexperia MOSFET canal N,, SOT23, TO-236AB 3 A 30 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT23, TO-236AB 3 A 30 V, 3 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT23, TO-236AB 3 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 118 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 4,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: PMV100ENEAR

EUR 0.38
1

Nexperia MOSFET, PMXB65UPEZ, 3, P-Canal, -3,2 A, -12 V, 4-Pin, DFN1010D-3, SOT1215 Simple

Nexperia MOSFET, PMXB65UPEZ, 3, P-Canal, -3,2 A, -12 V, 4-Pin, DFN1010D-3, SOT1215 Simple

Nexperia MOSFET, 3, P-Canal, -3,2 A, -12 V, 4-Pin, DFN1010D-3, SOT1215 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 880 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -1V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 8.330 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Longitud: 1.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMXB65UPEZ

EUR 0.11
1

Nexperia MOSFET, PMXB75UPEZ, 3, P-Canal, -2,9 A, -20 V, 4-Pin, DFN1010D-3, SOT1215 Simple

Nexperia MOSFET, PMXB75UPEZ, 3, P-Canal, -2,9 A, -20 V, 4-Pin, DFN1010D-3, SOT1215 Simple

Nexperia MOSFET, 3, P-Canal, -2,9 A, -20 V, 4-Pin, DFN1010D-3, SOT1215 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 950 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -1V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 8.330 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Longitud: 1.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: PMXB75UPEZ

EUR 0.09
1