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Nexperia MOSFET, canale N, 28 mΩ, 44 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 28 mΩ, 44 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 28 mΩ, 44 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 10 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9M14-40EX

EUR 0.35
1

Nexperia MOSFET, canale N, 28 mΩ, 44 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 28 mΩ, 44 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 28 mΩ, 44 A, LFPAK33, Power33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 10 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: BUK9M14-40EX

EUR 0.72
1

Nexperia MOSFET, canale N, 25 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 25 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 25 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 74 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN017-60YS,115

EUR 0.50
1

Nexperia MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.95V, Tensione di soglia gate minima: 1.05V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN9R5-30YLC,115

EUR 0.73
1

Nexperia MOSFET, canale N, 25 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 25 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 25 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 74 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN017-60YS,115

EUR 0.97
1

Nexperia MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale

Nexperia MOSFET, canale N, 12,1 mΩ, 44 A, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.95V, Tensione di soglia gate minima: 1.05V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN9R5-30YLC,115

EUR 0.35
1

Nexperia MOSFET canal N,, LFPAK33, Power33 44 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, LFPAK33, Power33 44 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, LFPAK33, Power33 44 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.45V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.5V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 10 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: BUK9M14-40EX

EUR 0.72
1

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 25 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 74 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 1.1mm, MPN: PSMN017-60YS,115

EUR 0.64
1

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 30 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 30 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 30 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.95V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.05V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN9R5-30YLC,115

EUR 0.73
1

Nexperia MOSFET canal N,, LFPAK33, Power33 44 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, LFPAK33, Power33 44 A 40 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, LFPAK33, Power33 44 A 40 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 28 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.45V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.5V, Dissipation de puissance maximum: 55 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 10 V, Longueur: 3.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: BUK9M14-40EX

EUR 0.35
1

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 30 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 30 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 30 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 12,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.95V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.05V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN9R5-30YLC,115

EUR 0.35
1

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 25 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 74 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN017-60YS,115

EUR 0.50
1

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches

Nexperia MOSFET canal N,, SOT-669 44 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 25 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 74 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: PSMN017-60YS,115

EUR 0.97
1

Nexperia MOSFET, PSMN9R5-30YLC,115, N-Canal-Canal, 44 A, 30 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, PSMN9R5-30YLC,115, N-Canal-Canal, 44 A, 30 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si

Nexperia MOSFET, N-Canal-Canal, 44 A, 30 V, 4-Pin, SOT-669 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.95V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.05V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: PSMN9R5-30YLC,115

EUR 0.73
1

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, BUK9M14-40EX, N-Canal-Canal, 44 A, 40 V, 4-Pin, LFPAK33, Power33 Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, BUK9M14-40EX, N-Canal-Canal, 44 A, 40 V, 4-Pin, LFPAK33, Power33 Simple

Nexperia AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 44 A, 40 V, 4-Pin, LFPAK33, Power33 Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.45V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.5V, Disipación de Potencia Máxima: 55 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 10 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: BUK9M14-40EX

EUR 0.72
1