Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale
Nexperia MOSFET, canale N, 1,5 mΩ, 100 A, LFPAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Altezza: 1.05mm, MPN: PSMN1R5-25YL,115