Promydea.it | Web Agency Sicilia

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 25 Ω, 120 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 25 Ω, 120 mA, TO-92, Tensione massima drain source: 350 V, Modalità del canale: Depletion, Materiale del transistor: Silicone, Serie: DN2535, MPN: DN2535N3-G

EUR 0.60

1

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 12 Ω, 170 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 12 Ω, 170 mA, TO-92, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Depletion, Materiale del transistor: Silicone, Serie: DN2530, MPN: DN2530N3-G

EUR 0.51

1

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 25 Ω, 120 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 25 Ω, 120 mA, TO-92, Tensione massima drain source: 400 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Depletion, Materiale del transistor: Silicone, Serie: DN2540, MPN: DN2540N3-G

EUR 0.62

1

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 7.5 Ω, 230 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 7.5 Ω, 230 mA, TO-92, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: 2N7008, MPN: 2N7008-G

EUR 0.43

1

Microchip MOSFET, canale N, 25 Ω, 170 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 25 Ω, 170 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Depletion, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, Altezza: 1.6mm, Lunghezza: 4.6mm, MPN: DN2540N8-G

EUR 0.85

1

Microchip MOSFET, canale N, 42 Ω, 170 mA, TO-252, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 42 Ω, 170 mA, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 700 V, Modalità del canale: Depletion, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, Altezza: 2.29mm, Lunghezza: 6.6mm, MPN: DN2470K4-G

EUR 0.85

1

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1.1 A, TO-252, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1.1 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Depletion, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, Altezza: 2.29mm, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DN2625K4-G

EUR 1.30

1

Microchip MOSFET, canale N, 3,3 Ω, 640 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 3,3 Ω, 640 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione diretta del diodo: 0.9V, MPN: VN0300L-G

EUR 1.14

1

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Depletion, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, Altezza: 0.85mm, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DN2625DK6-G

EUR 2.74

1

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 0.85V, Altezza: 5.33mm, MPN: VN2222LL-G

EUR 0.35

1

Microchip MOSFET, canale N, 35 Ω, 72 mA, SOT, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 35 Ω, 72 mA, SOT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 350 V, Modalità del canale: Depletion, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -3,5 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.8V, Altezza: 1.02mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: DN3135K1-G

EUR 0.49

1

Microchip MOSFET, canale P, 35 Ω, 160 mA, SOT-89, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale P, 35 Ω, 160 mA, SOT-89, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, MPN: VP2450N8-G

EUR 1.79

1

Microchip MOSFET, canale N, 4,5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 4,5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.5V, MPN: TN0106N3-G

EUR 0.85

1

Microchip MOSFET, canale P, 30 Ω, 125 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale P, 30 Ω, 125 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, MPN: TP2540N8-G

EUR 1.61

1

Microchip MOSFET, canale N, 4,5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 4,5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.5V, MPN: TN0110N3-G

EUR 1.02

1

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.5V, MPN: 2N7008-G

EUR 0.43

1

Microchip MOSFET, canale N, 5,3 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 5,3 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 30 V, Tensione diretta del diodo: 0.85V, MPN: 2N7000-G

EUR 0.32

1

Microchip MOSFET, canale N, 12 Ω, 260 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 12 Ω, 260 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, MPN: TN2540N8-G

EUR 1.34

1

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 2V, Altezza: 5.33mm, MPN: VP2106N3-G

EUR 0.41

1

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, MPN: VN0104N3-G

EUR 0.62

1

Microchip MOSFET, canale N, 6 Ω, 300 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 6 Ω, 300 mA, TO-92, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Tensione diretta del diodo: 1.8V, MPN: VN2106N3-G

EUR 0.32

1

Microchip Software

Microchip Software, Classificazione: Scheda di comunicazione, Core del dispositivo: PIC, Nome famiglia di processori: PIC18, Codice processore: DS00161, Tipo di processore: MCU

EUR 2.23

1

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.8V, MPN: TN2106K1-G

EUR 0.54

1

Microchip Regolatore buck sincrono, 500mA, 1,2 V, 1 uscita con modalità Fissa

Microchip Regolatore buck sincrono, 500mA, 1,2 V, 1 uscita con modalità Fissa, Funzione del regolatore: Controller Buck, Tensione minima in ingresso: 2,7 V, Tensione massima in ingresso: 5,5 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tipo di package: TSOT, Regolatore switching: Sì, Regolazione di linea: 0,3%/V, Regolazione del carico: 0,35%, Dimensioni: 2.9 x 1.6 x 1mm, Efficiency: 90%, MPN: MCP1603T-120I/OS

EUR 0.51

1

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-39, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-39, Su foro, Tensione massima drain source: 90 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 6,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: 2N6661

EUR 13.40

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 25 Ω, 120 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 12 Ω, 170 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 25 Ω, 120 mA, TO-92

Microchip Transistor MOSFET, canale N, 7.5 Ω, 230 mA, TO-92

Microchip MOSFET, canale N, 25 Ω, 170 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 42 Ω, 170 mA, TO-252, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1.1 A, TO-252, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 3,3 Ω, 640 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 35 Ω, 72 mA, SOT, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale P, 35 Ω, 160 mA, SOT-89, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 4,5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale P, 30 Ω, 125 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale N, 4,5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 5,3 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 12 Ω, 260 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale

Microchip MOSFET, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro

Microchip MOSFET, canale N, 6 Ω, 300 mA, TO-92, Su foro

Microchip Software

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236AB, Montaggio superficiale

Microchip Regolatore buck sincrono, 500mA, 1,2 V, 1 uscita con modalità Fissa

Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-39, Su foro