Infineon MOSFET, IPB65R310CFDAATMA1, N-Canal-Canal, 11,4 A, 600 V, 3-Pin, PG-A 263 CoolMOS Silicio
Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 11,4 A, 600 V, 3-Pin, PG-A 263 CoolMOS Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,31 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: IPB65R310CFDAATMA1