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Infineon MOSFET, canale N, 0,041 Ω, 50 A, TO-263, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 700 V, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: CoolMOS, MPN: IPB65R041CFD7ATMA1

EUR 5.77

1

Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1,, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 428 W, Type de montage: Traversant, MPN: IKW50N120CS7XKSA1

EUR 7.36

1

Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1,, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 428 W, Type de montage: Traversant, MPN: IKW50N120CS7XKSA1

EUR 8.59

1

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 50 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 50 A 700 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,041 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Série: CoolMOS, MPN: IPB65R041CFD7ATMA1

EUR 5.77

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 428 W, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, MPN: IKW50N120CS7XKSA1

EUR 7.36

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 428 W, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, MPN: IKW50N120CS7XKSA1

EUR 8.59

1

Infineon IGBT, IKW25N120T2FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 349 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 16.13mm, Largeur: 5.21mm, Hauteur: 21.1mm, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 4.3mJ, Capacité de grille: 1600pF, MPN: IKW25N120T2FKSA1

EUR 6.14

1

Infineon IGBT, IKW25N120H3FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 326 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 16.13mm, Largeur: 5.21mm, Hauteur: 21.1mm, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 4.3mJ, Capacité de grille: 1430pF, MPN: IKW25N120H3FKSA1

EUR 5.58

1

Infineon IGBT, IKW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 16.13mm, Largeur: 5.21mm, Hauteur: 21.1mm, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 7mJ, Capacité de grille: 1860pF, MPN: IKW25T120FKSA1

EUR 5.90

1

Infineon MOSFET, IPB65R041CFD7ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 700 V, 3-Pin, TO-263 CoolMOS

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 700 V, 3-Pin, TO-263 CoolMOS, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,041 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, MPN: IPB65R041CFD7ATMA1

EUR 5.77

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO247AC

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO247AC, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.87mm, Larghezza: 5.31mm, Altezza: 20.7mm, Dimensioni: 15.87 x 5.31 x 20.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IRG7PH35UDPBF

EUR 5.10

1

Infineon IGBT, IRG7PH35UDPBF,, 50 A, 1200 V, TO-247AC, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, TO-247AC, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Type de montage: Traversant, Longueur: 15.87mm, Largeur: 5.31mm, Hauteur: 20.7mm, Dimensions: 15.87 x 5.31 x 20.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: IRG7PH35UDPBF

EUR 5.10

1

Infineon IGBT, IKW25N120H3FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 326 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 4.3mJ, Capacité de grille: 1430pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IKW25N120H3FKSA1

EUR 5.50

1

Infineon IGBT, IKW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 7mJ, Capacité de grille: 1860pF, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IKW25T120FKSA1

EUR 6.94

1

Infineon IGBT, IKW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 7mJ, Capacité de grille: 1860pF, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IKW25T120FKSA1

EUR 5.91

1

Infineon IGBT, IKW25N120H3FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 326 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 4.3mJ, Capacité de grille: 1430pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IKW25N120H3FKSA1

EUR 6.46

1

Infineon IGBT, IKW25N120T2FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 349 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 4.3mJ, Capacité de grille: 1600pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IKW25N120T2FKSA1

EUR 6.46

1

Infineon IGBT, IKW25N120T2FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 349 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 4.3mJ, Capacité de grille: 1600pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IKW25N120T2FKSA1

EUR 5.50

1

Infineon IGBT, IGW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Indice énergétique: 7mJ, Capacité de grille: 1860pF, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: IGW25T120FKSA1

EUR 5.83

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 50 A 700 V, 3 broches

Infineon MOSFET, canale N, 0,041 Ω, 50 A, TO-263, Montaggio superficiale

Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1,, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3

Infineon MOSFET, IPB65R041CFD7ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 700 V, 3-Pin, TO-263 CoolMOS

Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3-Pines 1 Simple

Infineon MOSFET, canale N, 0,041 Ω, 50 A, TO-263, Montaggio superficiale

Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1,, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1,, 50 A, 1200 V, TO-247-3, 3 broches, Simple

Infineon MOSFET canal N,, TO-263 50 A 700 V, 3 broches

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247-3

Infineon IGBT, IKW25N120T2FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25N120H3FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon MOSFET, IPB65R041CFD7ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 700 V, 3-Pin, TO-263 CoolMOS

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO247AC

Infineon IGBT, IRG7PH35UDPBF,, 50 A, 1200 V, TO-247AC, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25N120H3FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25N120H3FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25N120T2FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IKW25N120T2FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

Infineon IGBT, IGW25T120FKSA1,, 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple