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Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite, MPN: FF6MR12KM1BOSA1

EUR 390.52

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio, MPN: F411MR12W2M1B76BOMA1

EUR 265.72

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,015 Ω, 75 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,015 Ω, 75 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio, MPN: F415MR12W2M1B76BOMA1

EUR 203.93

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello, MPN: FF8MR12W2M1B11BOMA1

EUR 224.29

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.45V, Serie: FF6MR, MPN: FF6MR12KM1BOSA1

EUR 435.84

1

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite, Tensione massima drain source: 1200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.45V, Serie: FF6MR, MPN: FF6MR12KM1BOSA1

EUR 426.02

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 5.55V, Materiale del transistor: SiC, Serie: F4, MPN: F411MR12W2M1B76BOMA1

EUR 271.14

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 5.55V, Materiale del transistor: SiC, Serie: F4, MPN: F411MR12W2M1B76BOMA1

EUR 250.09

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,015 Ω, 75 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,015 Ω, 75 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 5.55V, Materiale del transistor: SiC, Serie: F4, MPN: F415MR12W2M1B76BOMA1

EUR 208.09

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 20V, Numero di elementi per chip: 4, Serie: CoolSiC, MPN: FF8MR12W2M1B11BOMA1

EUR 244.69

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1200 V, Tensione di soglia gate massima: 20V, Numero di elementi per chip: 4, Serie: CoolSiC, MPN: FF8MR12W2M1B11BOMA1

EUR 244.69

1

Infineon Module IGBT, IFF600B12ME4PB11BPSA1,, 600 A, 1200 V, ECONOD, Double

Infineon Module IGBT,, 600 A, 1200 V, ECONOD, Double, MPN: IFF600B12ME4PB11BPSA1

EUR 244.42

1

Infineon MOSFET canal N,, AG-62MM 250 A 1200 V

Infineon MOSFET canal N,, AG-62MM 250 A 1200 V, MPN: FF6MR12KM1BOSA1

EUR 390.52

1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Configurazione transistor: Serie, MPN: FF750R12ME7B11BPSA1

EUR 242.58

1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-ECONOD, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Configurazione transistor: Serie, MPN: FF600R12ME7B11BPSA1

EUR 220.92

1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Configurazione transistor: Serie, MPN: FF750R12ME7B11BPSA1

EUR 201.37

1

Infineon IGBT, FP200R12N3T7BPSA1,, 200 A, 1200 V, Module, 46 broches, Triphasé

Infineon IGBT,, 200 A, 1200 V, Module, 46 broches, Triphasé, MPN: FP200R12N3T7BPSA1

EUR 340.91

1

Infineon IGBT, FF600R12KE4BOSA1,, 600 A, 1200 V, AG-62MM, Emetteur commun

Infineon IGBT,, 600 A, 1200 V, AG-62MM, Emetteur commun, MPN: FF600R12KE4BOSA1

EUR 229.41

1

Infineon Module IGBT, FF600R12ME7B11BPSA1,, 600 A, 1200 V, AG-ECONOD, Série

Infineon Module IGBT,, 600 A, 1200 V, AG-ECONOD, Série, MPN: FF600R12ME7B11BPSA1

EUR 216.50

1

Infineon IGBT, FF900R12ME7B11BOSA1,, 900 A, 1200 V, AG-ECONOD, Emetteur commun

Infineon IGBT,, 900 A, 1200 V, AG-ECONOD, Emetteur commun, MPN: FF900R12ME7B11BOSA1

EUR 287.43

1

Infineon Module IGBT, FF750R12ME7B11BPSA1,, 750 A, 1200 V, AG-ECONOD, Série

Infineon Module IGBT,, 750 A, 1200 V, AG-ECONOD, Série, MPN: FF750R12ME7B11BPSA1

EUR 237.73

1

Infineon IGBT, FP150R12N3T7BPSA1,, 150 A, 1200 V, Module, 43 broches, Triphasé

Infineon IGBT,, 150 A, 1200 V, Module, 43 broches, Triphasé, MPN: FP150R12N3T7BPSA1

EUR 241.10

1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Module

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Module, MPN: FP150R12N3T7BPSA1

EUR 241.10

1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD, MPN: FF750R12ME7B11BPSA1

EUR 237.73

1

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 100 A, AG-EASY1B, Montaggio superficiale

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 100 A, AG-EASY1B, Montaggio superficiale, MPN: FF11MR12W1M1B70BPSA1

EUR 215.98

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,015 Ω, 75 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon MOSFET, canale N, 5,81 m.Ω, 250 A, AG-62MM, Montaggio a vite

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,015 Ω, 75 A, AG-EASY1B-2, Montaggio a telaio

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 150 A, AG-EASY2BM-2, Montaggio a pannello

Infineon Module IGBT, IFF600B12ME4PB11BPSA1,, 600 A, 1200 V, ECONOD, Double

Infineon MOSFET canal N,, AG-62MM 250 A 1200 V

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD

Infineon IGBT, FP200R12N3T7BPSA1,, 200 A, 1200 V, Module, 46 broches, Triphasé

Infineon IGBT, FF600R12KE4BOSA1,, 600 A, 1200 V, AG-62MM, Emetteur commun

Infineon Module IGBT, FF600R12ME7B11BPSA1,, 600 A, 1200 V, AG-ECONOD, Série

Infineon IGBT, FF900R12ME7B11BOSA1,, 900 A, 1200 V, AG-ECONOD, Emetteur commun

Infineon Module IGBT, FF750R12ME7B11BPSA1,, 750 A, 1200 V, AG-ECONOD, Série

Infineon IGBT, FP150R12N3T7BPSA1,, 150 A, 1200 V, Module, 43 broches, Triphasé

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Module

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD

Infineon Modulo MOSFET, canale N, 100 A, AG-EASY1B, Montaggio superficiale