Infineon MOSFET, canale N, 44 mΩ, 33 A, I2PAK (TO-262), Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 44 mΩ, 33 A, I2PAK (TO-262), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 130 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRF540NLPBF