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Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, MPN: BSC040N10NS5ATMA1

EUR 2.55

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, MPN: BSC035N10NS5ATMA1

EUR 2.68

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TDSON-8 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TDSON-8 100 A 100 V, 8 broches, MPN: IAUC100N10S5N040ATMA1

EUR 1.64

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC070N10NS3GATMA1

EUR 1.06

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC070N10NS3GATMA1

EUR 1.70

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TDSON-8 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TDSON-8 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Matériau du transistor: Silicium, Série: OptiMOS, MPN: IAUC100N10S5N040ATMA1

EUR 2.66

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TDSON-8 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TDSON-8 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Matériau du transistor: Silicium, Série: OptiMOS, MPN: IAUC100N10S5N040ATMA1

EUR 1.79

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 1.1mm, Longueur: 6.1mm, MPN: BSC070N10NS3GATMA1

EUR 1.40

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP05CN10NGXKSA1

EUR 4.21

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP05CN10NGXKSA1

EUR 3.79

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 15.95mm, Longueur: 10.36mm, MPN: IPP05CN10NGXKSA1

EUR 3.56

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 139 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 5.49mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC040N10NS5ATMA1

EUR 3.18

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 5.49mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC035N10NS5ATMA1

EUR 2.19

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 5.49mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC035N10NS5ATMA1

EUR 3.14

1

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, TDSON 100 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.2V, Dissipation de puissance maximum: 139 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 5.49mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC040N10NS5ATMA1

EUR 1.99

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.25mm, MPN: IPP100N10S305AKSA1

EUR 2.75

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP100N10S305AKSA1

EUR 1.79

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 5.40

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 6.34

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP100N10S305AKSA1

EUR 1.69

1

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, A-220 100 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPP030N10N3GXKSA1

EUR 7.07

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