Infineon MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 81 A, OMETRIC DirectFET, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 0,0064 Ω, 81 A, OMETRIC DirectFET, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.45V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: HEXFET, MPN: IRF6636TRPBF