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Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN

EUR 3.93

1

Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN

Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN, Tensión de Alimentación: 4.25 → 16V

EUR 4.29

1

Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN

Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN, Tensión de Alimentación: 4.25 → 16V

EUR 2.35

1

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines

EUR 0.47

1

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, MPN: FP50R12KT4PBPSA1

EUR 96.81

1

Infineon MOSFET, IPD50P04P413ATMA2, P-Canal, 50 A, 40 V, DPAK (TO-252)

Infineon MOSFET, P-Canal, 50 A, 40 V, DPAK (TO-252), MPN: IPD50P04P413ATMA2

EUR 1.18

1

Infineon IGBT, FP50R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, AG-EASY2B Emisor común

Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, AG-EASY2B Emisor común, MPN: FP50R12W2T7B11BOMA1

EUR 65.80

1

Infineon Módulo MOSFET, FF23MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 50 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC

Infineon Módulo MOSFET, Quad, N-Canal-Canal, 50 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC, MPN: FF23MR12W1M1B11BOMA1

EUR 93.96

1

Infineon Transistor bipolar de RF, BFP640FH6327XTSA1, NPN 50 mA 4 V TSFP, 4 pines

Infineon Transistor bipolar de RF, NPN 50 mA 4 V TSFP, 4 pines, MPN: BFP640FH6327XTSA1

EUR 0.43

1

Infineon IGBT, FP50R12N2T7BPSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, Module, 23-Pines 7 Trifásico

Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1200 V, Module, 23-Pines 7 Trifásico, MPN: FP50R12N2T7BPSA1

EUR 94.61

1

Infineon IGBT, FP50R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, Module, 23-Pines 7 Trifásico

Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1200 V, Module, 23-Pines 7 Trifásico, MPN: FP50R12N2T7B11BPSA1

EUR 104.31

1

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines, Dimensiones: 1.1 x 1.5 x0.55mm, Tipo de Montaje: Montaje superficial

EUR 0.51

1

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines, Dimensiones: 1.1 x 1.5 x0.55mm, Tipo de Montaje: Montaje superficial

EUR 0.37

1

Infineon MOSFET, IPB65R041CFD7ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 700 V, 3-Pin, TO-263 CoolMOS

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 700 V, 3-Pin, TO-263 CoolMOS, MPN: IPB65R041CFD7ATMA1

EUR 5.29

1

Infineon MOSFET, IPD50N08S413ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 80 V, 3-Pin, DPAK IPD Silicio

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 80 V, 3-Pin, DPAK IPD Silicio, MPN: IPD50N08S413ATMA1

EUR 0.53

1

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP50R12KT4PBPSA1

EUR 100.23

1

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: FP50R12KT4PBPSA1

EUR 105.60

1

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, TO-252 OptiMOS Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, TO-252 OptiMOS Si, MPN: IPD50N06S409ATMA2

EUR 0.47

1

Infineon Módulo tiristor PCT, TT330N16AOFHPSA1, 1600V, 330A, 200mA, Módulo 50 mm, 7-Pines

Infineon Módulo tiristor PCTHPSA1, 1600V, 330A, 200mA, Módulo 50 mm, 7-Pines, Corriente Nominal de Supresión: 9100A, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Tensión Máxima de Disparo de Puerta: 2V, Corriente Máxima de Retención: 300mA, Dimensiones: 92 x 50 x 52mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +130 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Tensión de Encendido de Pico: 1.44V, MPN: TT330N16AOF

EUR 166.21

1

Infineon Módulo tiristor PCT, TT330N16AOFHPSA1, 1600V, 330A, 200mA, Módulo 50 mm, 7-Pines

Infineon Módulo tiristor PCTHPSA1, 1600V, 330A, 200mA, Módulo 50 mm, 7-Pines, Corriente Nominal de Supresión: 9100A, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Tensión Máxima de Disparo de Puerta: 2V, Corriente Máxima de Retención: 300mA, Dimensiones: 92 x 50 x 52mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +130 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Tensión de Encendido de Pico: 1.44V, MPN: TT330N16AOF

EUR 166.21

1

Infineon MOSFET, IPD50N06S2L13ATMA2, N-Canal-Canal, 50 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS, MPN: IPD50N06S2L13ATMA2

EUR 1.40

1

Infineon MOSFET, AUIRF7103QTR, N-Canal-Canal, 3 A, 50 V, 8-Pin, SO-8 HEXFET Silicio

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 3 A, 50 V, 8-Pin, SO-8 HEXFET Silicio, MPN: AUIRF7103QTR

EUR 0.59

1

Infineon MOSFET, IPP200N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 50 A, 150 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 150 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3, MPN: IPP200N15N3GXKSA1

EUR 2.86

1

Infineon MOSFET, IPDQ60R010S7XTMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 22-Pin, PG-HDSOP-22 IPDQ60R010S7

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 22-Pin, PG-HDSOP-22 IPDQ60R010S7, MPN: IPDQ60R010S7XTMA1

EUR 30.05

1

Infineon MOSFET, IPC50N04S55R8ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 40 V, 8-Pin, SuperSO8 5x6 IPC Silicio

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 40 V, 8-Pin, SuperSO8 5x6 IPC Silicio, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1

EUR 0.34

1

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Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN

Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN

Infineon Driver de puerta MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A PQFN

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon MOSFET, IPD50P04P413ATMA2, P-Canal, 50 A, 40 V, DPAK (TO-252)

Infineon IGBT, FP50R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, AG-EASY2B Emisor común

Infineon Módulo MOSFET, FF23MR12W1M1B11BOMA1, Quad, N-Canal-Canal, 50 A, 1.200 V, Módulo CoolSiC

Infineon Transistor bipolar de RF, BFP640FH6327XTSA1, NPN 50 mA 4 V TSFP, 4 pines

Infineon IGBT, FP50R12N2T7BPSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, Module, 23-Pines 7 Trifásico

Infineon IGBT, FP50R12N2T7B11BPSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, Module, 23-Pines 7 Trifásico

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines

Infineon Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines

Infineon MOSFET, IPB65R041CFD7ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 700 V, 3-Pin, TO-263 CoolMOS

Infineon MOSFET, IPD50N08S413ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 80 V, 3-Pin, DPAK IPD Silicio

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, TO-252 OptiMOS Si

Infineon Módulo tiristor PCT, TT330N16AOFHPSA1, 1600V, 330A, 200mA, Módulo 50 mm, 7-Pines

Infineon Módulo tiristor PCT, TT330N16AOFHPSA1, 1600V, 330A, 200mA, Módulo 50 mm, 7-Pines

Infineon MOSFET, IPD50N06S2L13ATMA2, N-Canal-Canal, 50 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS

Infineon MOSFET, AUIRF7103QTR, N-Canal-Canal, 3 A, 50 V, 8-Pin, SO-8 HEXFET Silicio

Infineon MOSFET, IPP200N15N3GXKSA1, N-Canal-Canal, 50 A, 150 V, 3-Pin, TO-220 OptiMOS 3

Infineon MOSFET, IPDQ60R010S7XTMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 22-Pin, PG-HDSOP-22 IPDQ60R010S7

Infineon MOSFET, IPC50N04S55R8ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 40 V, 8-Pin, SuperSO8 5x6 IPC Silicio