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IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V

IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Haute tension, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 2.37V, Temps de recouvrement inverse crête: 15µs, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 6.1kA, MPN: W0642WC240

EUR 60.35

1

IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V

IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Haute tension, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 2.37V, Temps de recouvrement inverse crête: 15µs, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 6.1kA, MPN: W0642WC240

EUR 102.49

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 69.25

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 65.78

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 68.54

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 64.56

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 72 A, canale N, E 2

IXYS Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 72 A, canale N, E 2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Ponte, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 12, Configurazione transistor: Full bridge, Dimensioni: 107.5 x 45 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 45mm, MPN: MKI50-06A7

EUR 49.94

1

IXYS Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 72 A, canale N, E 2

IXYS Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 72 A, canale N, E 2, Tensione massima gate emitter: ±20V, Configurazione: Ponte, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 12, Configurazione transistor: Full bridge, Dimensioni: 107.5 x 45 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 45mm, MPN: MKI50-06A7

EUR 51.49

1

IXYS Module IGBT, MKI50-06A7,, 72 A, 600 V, E 2, 12 broches, Pont complet

IXYS Module IGBT,, 72 A, 600 V, E 2, 12 broches, Pont complet, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 107.5 x 45 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 45mm, MPN: MKI50-06A7

EUR 51.49

1

IXYS Module IGBT, MKI50-06A7,, 72 A, 600 V, E 2, 12 broches, Pont complet

IXYS Module IGBT,, 72 A, 600 V, E 2, 12 broches, Pont complet, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 107.5 x 45 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 45mm, MPN: MKI50-06A7

EUR 49.94

1

IXYS Módulo IGBT, MKI50-06A7, N-Canal, 72 A, 600 V, E 2, 12-Pines Puente completo

IXYS Módulo IGBT, N-Canal, 72 A, 600 V, E 2, 12-Pines Puente completo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 107.5 x 45 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 45mm, MPN: MKI50-06A7

EUR 49.94

1

IXYS Módulo IGBT, MKI50-06A7, N-Canal, 72 A, 600 V, E 2, 12-Pines Puente completo

IXYS Módulo IGBT, N-Canal, 72 A, 600 V, E 2, 12-Pines Puente completo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 107.5 x 45 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 45mm, MPN: MKI50-06A7

EUR 51.49

1

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 175A, 1200V, 5 broches, PWS E 1

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 175A, 1200V, 5 broches, PWS E 1, Type de montage: Montage panneau, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 1.95kA, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Tension directe de crête: 1.65V, Courant inverse crête: 300µA, Dimensions: 94 x 54 x 30mm, Longueur: 94mm, MPN: VUO160-12NO7

EUR 59.07

3

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.3kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.9V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 94 x 54 x 30mm, Lunghezza: 94mm, MPN: VUO110-12NO7

EUR 54.36

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.65V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 94 x 54 x 30mm, Lunghezza: 94mm, MPN: VUO160-16NO7

EUR 64.70

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.3kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.9V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 94 x 54 x 30mm, Lunghezza: 94mm, MPN: VUO110-16NO7

EUR 55.75

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.65V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 94 x 54 x 30mm, Lunghezza: 94mm, MPN: VUO160-12NO7

EUR 59.07

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.95kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.65V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 94 x 54 x 30mm, Lunghezza: 94mm, MPN: VUO160-16NO7

EUR 64.70

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.3kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.9V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 94 x 54 x 30mm, Lunghezza: 94mm, MPN: VUO110-12NO7

EUR 54.36

1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Configurazione: Single, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 1.3kA, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Tensione di forward di picco: 1.9V, Corrente inversa di picco: 300µA, Dimensioni: 94 x 54 x 30mm, Lunghezza: 94mm, MPN: VUO110-16NO7

EUR 55.75

1

IXYS MOSFET, MKE38RK600DFELB, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 9-Pin, SMPD CoolMOS Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 9-Pin, SMPD CoolMOS Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 45 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MKE38RK600DFELB

EUR 19.13

1

IXYS MOSFET, IXTN46N50L, N-Canal-Canal, 46 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6V, Disipación de Potencia Máxima: 700000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, MMIX1F520N075T2, N-Canal-Canal, 500 A, 75 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 500 A, 75 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 830 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.25V, Altura: 5.7mm, MPN: MMIX1F520N075T2

EUR 19.34

1

IXYS MOSFET, IXFX120N30P3, N-Canal-Canal, 120 A, 300 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 120 A, 300 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 27 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,13 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 21.34mm, Longitud: 16.13mm, MPN: IXFX120N30P3

EUR 14.17

1

IXYS MOSFET, MMIX1F520N075T2, N-Canal-Canal, 500 A, 75 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 500 A, 75 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 830 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 25.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: MMIX1F520N075T2

EUR 18.99

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V

IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 72 A, canale N, E 2

IXYS Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 72 A, canale N, E 2

IXYS Module IGBT, MKI50-06A7,, 72 A, 600 V, E 2, 12 broches, Pont complet

IXYS Module IGBT, MKI50-06A7,, 72 A, 600 V, E 2, 12 broches, Pont complet

IXYS Módulo IGBT, MKI50-06A7, N-Canal, 72 A, 600 V, E 2, 12-Pines Puente completo

IXYS Módulo IGBT, MKI50-06A7, N-Canal, 72 A, 600 V, E 2, 12-Pines Puente completo

IXYS Module de pont redresseur Triphasé, 175A, 1200V, 5 broches, PWS E 1

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 175A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1200V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS Modulo raddrizzatore ponte, Trifase,, Ifwd 127A, VRRM 1600V, PWS E 1, Montaggio a pannello, 5 Pin

IXYS MOSFET, MKE38RK600DFELB, N-Canal-Canal, 50 A, 600 V, 9-Pin, SMPD CoolMOS Simple Si

IXYS MOSFET, IXTN46N50L, N-Canal-Canal, 46 A, 500 V, 4-Pin, SOT-227B Linear Simple Si

IXYS MOSFET, MMIX1F520N075T2, N-Canal-Canal, 500 A, 75 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si

IXYS MOSFET, IXFX120N30P3, N-Canal-Canal, 120 A, 300 V, 3-Pin, PLUS247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, MMIX1F520N075T2, N-Canal-Canal, 500 A, 75 V, 24-Pin, SMPD GigaMOS, HiperFET Simple Si