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IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V

IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Haute tension, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 2.37V, Temps de recouvrement inverse crête: 15µs, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 6.1kA, MPN: W0642WC240

EUR 60.35

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 64.56

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 65.78

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 400mV, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC150

EUR 69.25

1

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 42mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 9kA, MPN: W0944WC120

EUR 68.54

1

IXYS Diodo / Módulo Del Tiristor SCR Diodo, MCD200-14IO1, 1400V, 216A, 220mA, Y4 M6, 5-Pines

IXYS Diodo / Módulo Del Tiristor SCR Diodo, 1400V, 216A, 220mA, Y4 M6, 5-Pines, Corriente Nominal de Supresión: 8.64kA, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Tensión Máxima de Disparo de Puerta: 3V, Corriente Máxima de Retención: 150mA, Dimensiones: 94.5 x 34 x 30.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +100 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Tensión de Encendido de Pico: 1.52V, MPN: MCD200-14IO1

EUR 64.81

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1600V, Y4 M6, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.3V, Numero di elementi per chip: 2, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, MPN: MDD142-16N1

EUR 53.03

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1600V, Y4 M6, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.3V, Numero di elementi per chip: 2, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, MPN: MDD142-16N1

EUR 53.02

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.15V, Numero di elementi per chip: 2, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, MPN: MDD172-16N1

EUR 56.12

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.15V, Numero di elementi per chip: 2, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, MPN: MDD172-16N1

EUR 56.13

1

IXYS Diodo, Capsula, 1kA, 2400V, Alta tensione

IXYS Diodo, Capsula, 1kA, 2400V, Alta tensione, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Giunzione al silicio, Caduta di tensione diretta massima: 2.37V, Picco del tempo di recovery inverso: 15µs, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 6.1kA, MPN: W0642WC240

EUR 60.35

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 260A, 1200V, Y4-M6, Fast recovery

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 260A, 1200V, Y4-M6, Fast recovery, Configurazione diodi: Serie, Diodo: Giunzione al silicio, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.8V, Picco del tempo di recovery inverso: 500ns, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 2.64kA, MPN: MEE250-12DA

EUR 70.73

1

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 260A, 1200V, Y4-M6, Fast recovery

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 260A, 1200V, Y4-M6, Fast recovery, Configurazione diodi: Serie, Diodo: Giunzione al silicio, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.8V, Picco del tempo di recovery inverso: 500ns, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 2.64kA, MPN: MEE250-12DA

EUR 70.72

1

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 57.88

1

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 62.53

1

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

EUR 54.00

1

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN46N50L

EUR 55.15

1

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN36N100

EUR 66.57

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 800 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN62N50L

EUR 67.28

1

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N100Q3

EUR 57.88

1

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 780 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN44N80Q3

EUR 52.84

1

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN22N100L

EUR 56.36

1

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 800 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN62N50L

EUR 64.93

1

IXYS MOSFET, canale N, 41 mΩ, 90 A, SOT227, Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 41 mΩ, 90 A, SOT227, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 850 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,2 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFN90N85X

EUR 52.66

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Diode Capsule, 1kA, 2400V

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1500V, DO-200AA

IXYS Diode Capsule, 945A, 1200V, DO-200AA

IXYS Diodo / Módulo Del Tiristor SCR Diodo, MCD200-14IO1, 1400V, 216A, 220mA, Y4 M6, 5-Pines

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 165A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 190A, 1600V, Y4 M6

IXYS Diodo, Capsula, 1kA, 2400V, Alta tensione

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 260A, 1200V, Y4-M6, Fast recovery

IXYS Diodo, Montaggio a pannello, 260A, 1200V, Y4-M6, Fast recovery

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 49 mΩ, 82 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 160 mΩ, 46 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 240 mΩ, 36 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 220 mΩ, 38 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 190 mΩ, 37 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello

IXYS MOSFET, canale N, 41 mΩ, 90 A, SOT227, Montaggio superficiale