IXYS MOSFET, canale N, 69 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro
IXYS MOSFET, canale N, 69 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 660 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXFH46N65X2