IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale
IXYS MOSFET, canale N, 1,6 mΩ, 500 A, SMPD, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Numero pin: 24, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 830 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.25V, Altezza: 5.7mm, MPN: MMIX1F520N075T2