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IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 1500 Vrms, Caratteristiche speciali: Carico nominale continuo 100 mA, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1001N

EUR 0.78

1

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 1500 Vrms, Caratteristiche speciali: Carico nominale continuo 100 mA, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1001N

EUR 0.80

1

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 200 μA (controllo corrente), Tensione di isolamento: 1500 Vrms, Caratteristiche speciali: Carico nominale continuo 100 mA, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1001N

EUR 0.47

1

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 1 (controllo corrente) mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Caratteristiche speciali: Tensione di scarica distruttiva 350 VP, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1302G

EUR 1.16

1

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 1 (controllo corrente) mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Caratteristiche speciali: Tensione di scarica distruttiva 350 VP, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1302G

EUR 1.89

1

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore, Corrente massima di ingresso: 1 (controllo corrente) mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Caratteristiche speciali: Tensione di scarica distruttiva 350 VP, Inseribile a macchina, Saldabile a onda, MPN: CPC1302G

EUR 1.89

1

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 180 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTH12N65X2

EUR 3.61

1

IXYS MOSFET, canale N, 145 mΩ, 22 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 145 mΩ, 22 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 390 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXFA22N65X2

EUR 1.80

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTY8N65X2

EUR 0.79

1

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTP8N65X2

EUR 2.19

1

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTH34N65X2

EUR 4.57

1

IXYS MOSFET, canale N, 2,3 Ω, 2 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 2,3 Ω, 2 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTP2N65X2

EUR 2.62

1

IXYS MOSFET, canale N, 850 mΩ, 4 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 850 mΩ, 4 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 80 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTP4N65X2

EUR 2.62

1

IXYS MOSFET, canale N, 2,3 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 2,3 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTY2N65X2

EUR 0.50

1

IXYS MOSFET, canale N, 550 mΩ, 4 A, TO-220F, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 550 mΩ, 4 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 32 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.4V, MPN: IXTP8N65X2M

EUR 3.14

1

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 1.45V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 330A, MPN: DSI30-12A

EUR 1.88

1

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 1.18V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 520A, MPN: DSI45-16A

EUR 3.95

1

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 1.18V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 520A, MPN: DSI45-16A

EUR 4.49

1

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 1.45V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 330A, MPN: DSI30-12A

EUR 2.20

1

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 1.45V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 330A, MPN: DSI30-12A

EUR 2.00

1

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD, Configurazione diodi: Singolo, Caduta di tensione diretta massima: 1.18V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 520A, MPN: DSI45-16A

EUR 4.05

1

IXYS Diodo, Su foro, 8A, 1200V, TO-220AB

IXYS Diodo, Su foro, 8A, 1200V, TO-220AB, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.15V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 110A, MPN: DSP8-12A

EUR 2.27

1

IXYS Diodo, Su foro, 11A, 1200V, TO-220AB

IXYS Diodo, Su foro, 11A, 1200V, TO-220AB, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.15V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 110A, MPN: DSP8-12A

EUR 2.06

1

IXYS Diodo, Su foro, 28A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 28A, 1600V, TO-247AD, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.6V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 330A, MPN: DSP25-16A

EUR 4.75

1

IXYS Diodo, Su foro, 8A, 1200V, TO-220AB

IXYS Diodo, Su foro, 8A, 1200V, TO-220AB, Configurazione diodi: Serie, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.15V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 110A, MPN: DSP8-12A

EUR 1.90

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS Fotoaccoppiatore

IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 12 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 145 mΩ, 22 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 500 mΩ, 8 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 2,3 Ω, 2 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 850 mΩ, 4 A, TO-220, Su foro

IXYS MOSFET, canale N, 2,3 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

IXYS MOSFET, canale N, 550 mΩ, 4 A, TO-220F, Su foro

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC

IXYS Diodo, Su foro, 30A, 1200V, TO-220AC

IXYS Diodo, Su foro, 48A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 8A, 1200V, TO-220AB

IXYS Diodo, Su foro, 11A, 1200V, TO-220AB

IXYS Diodo, Su foro, 28A, 1600V, TO-247AD

IXYS Diodo, Su foro, 8A, 1200V, TO-220AB