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IXYS MOSFET, IXTP75N10P, N-Canal-Canal, 75 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP75N10P, N-Canal-Canal, 75 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 100 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 25 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 9.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXTP75N10P

EUR 4.57
1

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.3mm, Longitud: 15.8mm, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63
1

IXYS MOSFET, IXFH34N50P3, N-Canal-Canal, 34 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH34N50P3, N-Canal-Canal, 34 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 34 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 175 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 695 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.95
1

IXYS MOSFET, IXFP14N60P3, N-Canal-Canal, 14 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFP14N60P3, N-Canal-Canal, 14 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 14 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 540 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 327 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFP14N60P3

EUR 1.39
1

IXYS MOSFET, IXFP14N60P3, N-Canal-Canal, 14 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFP14N60P3, N-Canal-Canal, 14 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 14 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 540 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 327 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFP14N60P3

EUR 1.81
1

IXYS MOSFET, IXFP7N80P, N-Canal-Canal, 7 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFP7N80P, N-Canal-Canal, 7 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 7 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,44 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 200000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFP7N80P

EUR 4.87
1

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 2.79
1

IXYS MOSFET, IXTP62N15P, N-Canal-Canal, 62 A, 150 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP62N15P, N-Canal-Canal, 62 A, 150 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 150 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 350 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXTP62N15P

EUR 3.88
1

IXYS MOSFET, IXFH34N50P3, N-Canal-Canal, 34 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH34N50P3, N-Canal-Canal, 34 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 34 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 175 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 695 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH34N50P3

EUR 2.91
1

IXYS MOSFET, IXFH20N50P3, N-Canal-Canal, 20 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH20N50P3, N-Canal-Canal, 20 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 20 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 380 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3

EUR 4.93
1

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFQ26N50P3, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 26 A, 500 V, 3-Pin, TO-3P HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFQ26N50P3

EUR 3.63
1

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFP12N50P, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 12 A, 500 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 500 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 200000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFP12N50P

EUR 3.81
1

IXYS MOSFET, IXFP22N60P3, N-Canal-Canal, 22 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, IXFP22N60P3, N-Canal-Canal, 22 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB HiperFET, Polar3 Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 22 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB HiperFET, Polar3 Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 360 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 16mm, Longitud: 10.66mm, MPN: IXFP22N60P3

EUR 3.25
1

IXYS MOSFET, IXFH16N50P, N-Canal-Canal, 16 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXFH16N50P, N-Canal-Canal, 16 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 16 A, 500 V, 3-Pin, TO-247 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 400 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IXFH16N50P

EUR 4.76
1

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, IXTP50N20P, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si

IXYS MOSFET, N-Canal-Canal, 50 A, 200 V, 3-Pin, TO-220 HiperFET, Polar Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.5V, Disipación de Potencia Máxima: 360 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IXTP50N20P

EUR 4.04
1