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DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 330 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 25, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 320 V, Tensione massima base emitter: 6 V, Frequenza operativa massima: 40 MHz, Dimensioni: 1.1 x 3 x 1.4mm, Altezza: 1.1mm, MPN: FMMT415TD

EUR 8.19

1

DiodesZetex Transistor, FMMT415TD, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple

DiodesZetex Transistor, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 330 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 25, Tensión Base Máxima del Colector: 320 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 1.1 x 3 x 1.4mm, Altura: 1.1mm, MPN: FMMT415TD

EUR 8.19

1

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 330 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 320 V, Tensione massima base emitter: 6 V, Frequenza operativa massima: 40 MHz, Dimensioni: 1.1 x 3 x 1.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,5 V, MPN: FMMT415TD

EUR 5.82

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DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo

DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo, Corrente massima continuativa collettore: 80 A, 160 A (a impulsi), Tensione massima collettore emitter: 1200 V, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 357 W, Tipo di montaggio: Su foro, Dimensioni: 16.26 x 5.31 x 21.46mm, Capacità del gate: 6030pF, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 9.51

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DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo

DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo, Corrente massima continuativa collettore: 80 A, 160 A (a impulsi), Tensione massima collettore emitter: 1200 V, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 357 W, Tipo di montaggio: Su foro, Dimensioni: 16.26 x 5.31 x 21.46mm, Capacità del gate: 6030pF, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C

EUR 8.20

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DiodesZetex Transistor, FMMT415TD, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple

DiodesZetex Transistor, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 330 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 320 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 1.1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,5 V, MPN: FMMT415TD

EUR 5.82

1

DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo

DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo, Corrente massima continuativa collettore: 80 A, 160 A (a impulsi), Tensione massima collettore emitter: 1200 V, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 357 W, Tipo di montaggio: Su foro, Lunghezza: 16.26mm, Larghezza: 5.31mm, Altezza: 21.46mm, Dimensioni: 16.26 x 5.31 x 21.46mm, Capacità del gate: 6030pF, Massima temperatura operativa: +150 °C

EUR 9.51

1

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 330 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 320 V, Tensione massima base emitter: 6 V, Frequenza operativa massima: 40 MHz, Dimensioni: 1.1 x 3 x 1.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0.5 V, MPN: FMMT415TD

EUR 8.92

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DiodesZetex Transistor, FMMT415TD, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple

DiodesZetex Transistor, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 330 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 320 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 1.1 x 3 x 1.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0.5 V, MPN: FMMT415TD

EUR 8.92

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Marchand

Prix (EUR)

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor, FMMT415TD, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo

DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo

DiodesZetex Transistor, FMMT415TD, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple

DiodesZetex IGBT DGTD120T40S1PT, TO-247, 3 Pin 1 Singolo

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 500 mA, 100 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor, FMMT415TD, NPN 500 mA 100 V SOT-23, 3 pines, 40 MHz, Simple