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DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333, MPN: DMN2005UFGQ-7

EUR 0.93

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Serie: DMN2005, MPN: DMN2005UFGQ-7

EUR 0.95

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Serie: DMN2005, MPN: DMN2005UFGQ-7

EUR 0.45

1

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Guadagno minimo corrente c.c.: 200, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -50 V, Tensione massima base emitter: -6 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz (Min.), Dimensioni: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, MPN: DPLS350Y-13

EUR 0.21

1

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -50 V, Tensione massima base emitter: -6 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: -390 mV, MPN: DPLS350Y-13

EUR 0.12

1

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -50 V, Tensione massima base emitter: -6 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: -390 mV, MPN: DPLS350Y-13

EUR 0.37

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.5mm, MPN: ZXMN3A06DN8TA

EUR 0.73

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.6V, Dissipazione di potenza massima: 2,6 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.5mm, Lunghezza: 4.95mm, MPN: DMN4031SSD-13

EUR 0.62

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMN3A06DN8TA

EUR 0.39

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMN3A06DN8TA

EUR 0.40

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.6V, Dissipazione di potenza massima: 2,6 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.95mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN4031SSD-13

EUR 0.25

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.6V, Dissipazione di potenza massima: 2,6 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.95mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN4031SSD-13

EUR 0.62

1

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 200 mW, Configurazione transistor: Singolo, Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Resistore di ingresso tipico: 10 kΩ, Lunghezza: 3mm, MPN: DDTC114ECA-7-F

EUR 0.10

1

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 200 mW, Configurazione transistor: Singolo, Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Resistore di ingresso tipico: 10 kΩ, Lunghezza: 3mm, MPN: DDTC114ECA-7-F

EUR 0.03

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.3mm, Lunghezza: 3.1mm, MPN: ZXMN3A03E6TA

EUR 0.49

1

DiodesZetex MOSFET, canale P, 50 mΩ, 6 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale P, 50 mΩ, 6 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.58mm, Lunghezza: 2.05mm, MPN: DMP4047LFDE-7

EUR 0.52

1

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 140 MHz, Dimensioni: 3.1 x 1.7 x 1.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IMX8-7-F

EUR 0.06

1

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 50 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 625 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 165 MHz, Dimensioni: 1.1 x 3 x 1.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Altezza: 1.1mm, MPN: FMMT619TA

EUR 0.39

1

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 140 MHz, Dimensioni: 3.1 x 1.7 x 1.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IMX8-7-F

EUR 0.09

1

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 50 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 625 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 100, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 165 MHz, Dimensioni: 1.1 x 3 x 1.4mm, Altezza: 1.1mm, MPN: FMMT619TA

EUR 0.33

1

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 820, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 140 MHz, Dimensioni: 3.1 x 1.7 x 1.3mm, MPN: IMX8-7-F

EUR 0.09

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMN3A03E6TA

EUR 0.36

1

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMN3A03E6TA

EUR 0.83

1

DiodesZetex MOSFET, canale P, 50 mΩ, 6 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale P, 50 mΩ, 6 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.05mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMP4047LFDE-7

EUR 0.21

1

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale, Numero di elementi per chip: 1, Resistore di ingresso tipico: 10 kΩ, Guadagno minimo corrente c.c.: 30, Dissipazione di potenza massima: 200 mW, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 3 x 1.4 x 1.1mm, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DDTC114ECA-7-F

EUR 0.07

1

Realizziamo gli obiettivi di business dei nostri clienti: dicci cosa ti serve, lo realizzeremo per te.

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0087 Ω, 50 A, PowerDI3333

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor PNP, 3 Pin, SOT-89, 3 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale P, 50 mΩ, 6 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 50 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor NPN, 6 Pin, SOT-26, 50 mA, 120 V, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale N, 50 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

DiodesZetex MOSFET, canale P, 50 mΩ, 6 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

DiodesZetex Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 mA, Montaggio superficiale